[实用新型]一种浪涌抑制电路有效

专利信息
申请号: 201220496186.0 申请日: 2012-09-26
公开(公告)号: CN202872356U 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 谢永梁;李迪伽;朱建国;李加取;陈建功;元金皓 申请(专利权)人: 深圳市振华微电子有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 浪涌 抑制 电路
【权利要求书】:

1.一种浪涌抑制电路,包括有电源管理芯片,其特征在于,还包括有为电源管理芯片供电的线性稳压电路、以电源管理芯片为核心组成的升压电路、分别与电源管理芯片连接的二极管倍压电路、反馈回路以及限幅电路。

2.如权利要求1所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述线性稳压电路包括有第一三极管(Q1)、连接第一三极管(Q1)基极的第一稳压二极管(B1)与第一电阻(R1)、连接于第一三极管(Q1)发射极的第一电容C1;其中,第一三极管(Q1)的发射极通过该第一电容(C1)连接至地。

3.如权利要求2所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述二极管倍压电路包括有第二三极管(Q2)、第五三极管(Q5)、以及分别连接于第五三极管(Q5)的集电极的第六电阻(R6)与第六电容(C6)、与第六电容(C6)连接的第四二极管(B4)、第五二极管(B5)、以及与第五二极管(B5)连接的第四电容(C4)。

4.如权利要求3所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述第二三极管(Q2)的发射极通过一第八电阻(R8)连接至第五三极管(Q5)的基极,第五三极管(Q5)的发射极直接连接至地,而第五三极管(Q5)的基极通过一第七电阻(R7)连接至地;第四电容(C4)连接至一N-MOS管(M1)的源极。

5.如权利要求4所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述升压电路包括有电感(L1)、与电感(L1)串联连接的第三二极管(B3)、以及一第二MOS管(M2)与一第十三电容(C13);其中,所述第二MOS管(M2)为一N型MOS管,其栅极连接于电源管理芯片(U1)的第6脚,而所述第十三电容(C13)一端连接于第三二极管(B3),另一端接地。

6.如权利要求5所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述反馈回路包括有连接电源管理芯片(U1)的第1脚的第八电容(C8),与第八电容(C8)串联连接的第十一电阻(R11)、一端连接第十一电阻(R11),另一端连接至输出端的第十电阻(R10)、以及一端连接第十一电阻(R11),另一端接地的第十电阻(R10)。

7.如权利要求6所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述限幅电路包括有第三三极管(Q3)、连接第三三极管(Q3)的第四三极管(Q4)、并联连接于第三三极管(Q3)基极的第三电阻(R3)与第四电阻(R4)、以及连接于第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)发射极的第五电阻(R5)。

8.如权利要求7所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)的发射极通过第五电阻(R5)连接至地。

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