[实用新型]推挽式源极串联端接发射机设备和系统有效
申请号: | 201220488274.6 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN203445862U | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | G·里纳尔迪;S·贾科尼 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H04B1/04 | 分类号: | H04B1/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;夏青 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 推挽式源极 串联 端接 发射机 设备 系统 | ||
1.一种推挽式源极串联端接发射机设备,包括:
发射机电路,包括第一支路和第二支路;
其中,当禁用所述第二支路时,启用所述第一支路以发送输出模拟信号,并且其中,当禁用所述第一支路时,启用所述第二支路以发送所述输出模拟信号;并且
其中,启用所述第一支路或所述第二支路以发送所述输出模拟信号的选择是基于所述发射机电路接收的输入二进制信号的比特值。
2.根据权利要求1所述的推挽式源极串联端接发射机设备,其中,所述发射机电路包括基于电压模式驱动器的推挽式源极串联端接发射机。
3.根据权利要求1所述的推挽式源极串联端接发射机设备,其中,所述第一支路包括由第一晶体管的导通电阻提供的第一电阻、耦合到所述第一晶体管的第一电阻器、第二晶体管的导通电阻、耦合到所述第二晶体管的第二电阻器,并且进一步包括由耦合到所述第一和第二电阻器的至少一个电路元件提供的第二电阻。
4.根据权利要求3所述的推挽式源极串联端接发射机设备,其中,所述第二支路包括由第三晶体管的导通电阻提供的所述第一电阻、耦合到所述第三晶体管的第三电阻器、第四晶体管的导通电阻、以及耦合到所述第四晶体管的第四电阻器。
5.根据权利要求4所述的推挽式源极串联端接发射机设备,其中,所述第二支路进一步包括还耦合到所述第三和第四电阻器的所述至少一个电路元件提供的所述第二电阻。
6.根据权利要求3至5中的任一项所述的推挽式源极串联端接发射机设备,其中,所述输出模拟信号的电平基于所述第一电阻和所述第二电阻。
7.根据权利要求4或5所述的推挽式源极串联端接发射机设备,其中,所述第一、第二、第三和第四晶体管中的每一个都包括用于接收控制信号的控制端子,以启用或禁用相应的第一、第二、第三和第四晶体管,并且其中,所述控制信号具有基于所述输入二进制信号的比特值的值。
8.根据权利要求4或5所述的推挽式源极串联端接发射机设备,其中,所述第一晶体管和所述第三晶体管包括P型金属氧化物半导体晶体管,并且其中,所述第二晶体管和所述第四晶体管包括N型金属氧化物半导体晶体管。
9.根据权利要求4或5所述的推挽式源极串联端接发射机设备,其中,所述至少一个电路元件包括耦合到至少一个晶体管的至少一个电阻器,并且其中,所述至少一个晶体管包括用于接收控制信号的控制端子,以启用或禁用所述至少一个晶体管,并且其中,所述控制信号具有基于提供给所述第一、第二、第三和第四晶体管的控制端子的控制信号之间的关系的值。
10.根据权利要求1所述的推挽式源极串联端接发射机设备,其中,启用所述第一支路或所述第二支路的选择基于所述输入二进制信号的极性,并且其中,所述极性由所述输入二进制信号的至少一个比特值来表示。
11.根据权利要求1所述的推挽式源极串联端接发射机设备,进一步包括多个单元格,其中,每一个单元格都包括一种形式的所述发射机电路,其中,每一形式的所述发射机电路都包括具有电阻值的第一支路和第二支路,并且其中,所述单元格中的所述电阻值共同起作用以确定所述输出模拟信号的电平。
12.根据权利要求1所述的推挽式源极串联端接发射机设备,其中,所述第一支路的至少一条腿与所述第二支路的至少一条腿共用电阻器。
13.一种推挽式源极串联端接发射机系统,包括:
发射机,用于发送输出模拟信号;以及
发射机电路,包括在所述发射机中并且具有第一支路和第二支路;
其中,在禁用所述第二支路的同时,根据输入二进制信号选择性地启用所述第一支路,以发送输出模拟信号;并且其中,在禁用所述第一支路的同时,根据所述输入二进制信号选择性地启用所述第二支路,以发送所述输出模拟信号;并且
其中,所述输出模拟信号由所述输入二进制信号转换而来。
14.根据权利要求13所述的推挽式源极串联端接发射机系统,其中,分别通过所述第一支路和第二支路的电流通路是十字形交叉布置。
15.根据权利要求13所述的推挽式源极串联端接发射机系统,其中,在集成电路中形成所述第一和第二支路。
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