[实用新型]一种量子效应光电探测器与读出电路的封装结构有效
| 申请号： | 201220461905.5 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN202796904U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 郭方敏 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H05K3/34 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利事务所 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 效应 光电 探测器 读出 电路 封装 结构 | ||
1.一种量子效应光电探测器与读出电路的封装结构，包括读出电路（2）、光电探测器（3）、管壳（4）和上、下两面分别设有封装面电路的基板（1），其特征在于基板（1）上设有金属微孔（7）和导热支架（6），光电探测器（3）与读出电路（2）分别设置在上、下两封装面电路上由金属微孔（7）实现互联，金属微孔（7）与光电探测器（3）和读出电路（2）为压焊、倒焊或植球焊连接；所述读出电路（2）和光电探测器（3）与基板（1）间或设有填充胶（8）；所述导热支架（6）设置在读出电路（2）两侧，导热支架（6）与基板（1）为粘接；所述管座（4）由设有探针（9）的管壳（10）和透光盖板（5）组成，焊接读出电路（2）和光电探测器（3）的基板（1）设置在管壳（10）内，基板（1）两封装面电路的引线与探针（9）套合后焊接固定，管壳（10）上扣合透光盖板（5）。
2.根据权利要求1所述量子效应光电探测器与读出集成电路的封装结构，其特征在于所述基板（1）为300~400μm厚度的PCB、硅或陶瓷板。
3. 根据权利要求1所述量子效应光电探测器与读出集成电路的封装结构，其特征在于所述金属微孔（7）为直径小于70μm的金属互联线，采用微电子工艺对70μm微孔金属化。
4.根据权利要求1所述量子效应光电探测器与读出集成电路的封装结构，其特征在于所述导热支架（6）的高度大于读出电路（2）的厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
