[实用新型]用于逆变器的有源吸收电路有效

专利信息
申请号: 201220449629.0 申请日: 2012-09-05
公开(公告)号: CN202840930U 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 杜金龙;鲁家厚 申请(专利权)人: 成都科方电源技术有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 610500 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 用于 逆变器 有源 吸收 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型属于电力电子领域,具体涉及一种用于逆变器的有源吸收电路。

背景技术

如图2、3所示,现有的挽式方波变换器与其他方波变换器相比,具有输出电压特性好,电源电压利用率高,工作效率高,驱动电路相对简单,两个功率控制原件不会出现共同导通的可能性,所以推挽式方波变换器的可靠性高。

但推挽式开关电源也有它固有的缺点,那就是两个开关器件需要很高的耐压,其耐压必须大于工作电压的两倍。因此,推挽式开关电源在220V交流供电设备中很少使用。另外,输出电压可调整式推挽开关电源输出电压的调整范围比较小,因此,推挽式开关电源不宜用于要求负载电压变化范围太大的场合,特别是负载很轻或是经常开路的场合。在一个开关周期内,这两功率转换器件交替的工作。若两个功率元件的驱动波形不完全对称,在驱动脉冲的死区时间内,变压器磁通复位又不彻底时,就会出现直流偏磁的现象,经过几个周期累计的偏磁,会使磁芯进入饱和状态,并导致功率变压器的励磁电流过大,甚至损坏开关管。

实用新型内容

为克服上述缺陷,本实用新型提供了一种用于逆变器的有源吸收电路,解决了输出正负半周交替时变压器原边能量不能完全释放,磁通不能正常回零,造成逆变器损坏的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供一种用于逆变器的有源吸收电路,其改进之处在于,其包括:插座(J1)、整流二极管单元、电阻(R2、R3、R4)、VMOS管(Q1)、微分电路和或非单元;所述插座(J1)、所述整流二极管单元、电阻(R2、R3)的并联结构、所述VMOS管(Q1)、所述微分电路、所述电阻(R4)和所述或非单元依次连接。

本实用新型提供的优选技术方案中,所述整流二极管单元包括:4个二极管(D1、D2、D3、D4);所述4个二极管(D1、D2、D3、D4)组成桥式整流电路。

本实用新型提供的第二优选技术方案中,所述微分电路是RC微分电路。

本实用新型提供的第三优选技术方案中,所述或非单元包括两个并联的或非门(u1a、u1b)。

与现有技术比,本实用新型提供的一种用于逆变器的有源吸收电路,解决了输出正负半周交替时变压器原边能量不能完全释放,磁通不能正常回零,造成逆变器损坏的问题;保证了输出正负半周交替时变压器磁通归零,保证了功率管不会因尖峰电压而损坏;同时也确保聊输出电压波形不奇变,而且,此电路也适用于类似的功率开关电子线路。

附图说明

图1为有源吸收电路的结构示意图。

图2为现有的推挽逆变器原理图。

图3为现有的逆变器驱动和输出电压波形。

具体实施方式

如图1所示,一种用于逆变器的有源吸收电路,其包括:插座(J1)、整流二极管单元、电阻(R2、R3、R4)、VMOS管(Q1)、微分电路和或非单元;所述插座(J1)、所述整流二极管单元、电阻(R2、R3)的并联结构、所述VMOS管(Q1)、所述微分电路、所述电阻(R4)和所述或非单元依次连接。

所述整流二极管单元包括:4个二极管(D1、D2、D3、D4);所述4个二极管(D1、D2、D3、D4)组成桥式整流电路。所述微分电路是RC微分电路。所述或非单元包括两个并联的或非门(u1a、u1b)。

下面通过实施例对有源吸收电路做进一步描述。

一种有源吸收电路,在推挽式方波逆变器中,输出正负半周交替时变压器原边能量不能完全释放,磁通不能正常回零,造成逆变器损坏的有源吸收解决方案。此电路用在推挽输出的方波逆变器上,本电路由或非门(考虑驱动能力,或非门可用两只并联),微分电路,VMOS管,负载电阻和交流整流电路构成。其中,或非门的两输入端A,B分别接入两路推挽驱动信号,或非门的输出信号经R1,C1微分得到一个尖峰脉冲去驱动VMOS管。插座J1接逆变器的交流输出,经D1-D4二极管整流后,再经R2,R3给VMOS管供电。当VMOS管导通时将推挽输出电压切换舜间,输出变压器中来不急泄放的能量经R2,R3消耗掉。从而保证了输出正负半周交替时变压器磁通归零,保证了功率管不会因尖峰电压而损坏。同时也确保聊输出电压波形不奇变。此电路也适用于类似的功率开关电子线路。

本实用新型通过以下技术方案实现:

(1).逆变器输出正负半周交替时,变压器中的剩余能量必须释放,因此,释放的时间必须在交替过零点时进行。

(2).由于正负半周驱动脉冲之间都存在死区,因此使用或非门将死区检出,或非门的输出与微分电路相连,由R1、C1的参数控制位费时间宽度,从而控制VMOS管的导通时间。

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