[实用新型]外延片及超结功率器件

权利要求书

1.外延片，其特征在于，包括衬底和电阻率呈同心圆状分布的第一外延层。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一外延层相同半径处的电阻率非均匀性不超过5%。

3.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，第一外延层自圆心起径向每30毫米宽度环形带内的电阻率非均匀性不超过5%。

4.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，第一外延层自圆心起径向均匀分为三个区域，三个区域径向宽度相同，每个区域内的电阻率非均匀性不超过5%。

5.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述衬底与第一外延层之间设置有单晶硅层。

6.根据权利要求5所述的外延片，其特征在于，所述的单晶硅层厚度为2～5μm。

7.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述的第一外延层电阻率自圆心起沿径向增大或减小或交替增大减小或交替减小增大。

8.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述衬底背面具有一氧化层，所述氧化层边缘半径比衬底半径小1-2毫米。

9.超结功率器件，其特征在于，包括权利要求1至9任一权利要求所述的外延片。

10.根据权利要求9所述的超结功率器件，其特征在于，包括所述的外延片，所述外延片的外延层设有环绕圆心的沟槽；所述沟槽内填充有与第二外延层，所述第二外延层覆盖所述第一外延层并嵌入所述沟槽内；所述第一外延层与第二外延层材料不同。