[实用新型]制备高利用率准单晶的装置有效
| 申请号： | 201220432075.3 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN202830216U | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 罗大伟;林洪峰;张凤鸣;王临水;路忠林 | 申请（专利权）人： | 天威新能源控股有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 廖曾 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 利用率 准单晶 装置 | ||
1.制备高利用率准单晶的装置，包括贴附在坩埚（4）外壁上的坩埚石墨侧护板（3），其特征在于：所述坩埚石墨侧护板（3）包括贴附在坩埚（4）外壁上的内绝热护板（2）、以及贴附在内绝热护板一侧的外绝热护板（1），所述外绝热护板（1）位于内绝热护板远离坩埚（4）的一侧；所述内绝热护板开有若干轴线互相平行的内绝热护板条形孔（21），外绝热护板开有若干轴线互相平行的外绝热护板条形孔（11），所述内绝热护板条形孔（21）的轴线与外绝热护板条形孔（11）的轴线互相平行；还包括连接在坩埚（4）底部的坩埚石墨底部护板（6）。
2.根据权利要求1所述的制备高利用率准单晶的装置，其特征在于：所述内绝热护板（2）远离坩埚（4）的一侧或内绝热护板（2）端面安装有滑道装置（22），所述外绝热护板（1）通过滑道装置（22）贴附在内绝热护板（2）上。
3.根据权利要求2所述的制备高利用率准单晶的装置，其特征在于：所述滑道装置（22）为U形槽，所述U形槽的开口方向指向内绝热护板（2）。
4.根据权利要求2所述的制备高利用率准单晶的装置，其特征在于：所述滑道装置（22）为至少一组对称设置在内绝热护板（2）上的L形组板，一组L形组板的数目为2个，一组L形组板与内绝热护板（2）组成两个开口相对的U形凹槽。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的制备高利用率准单晶的装置，其特征在于： 所述坩埚石墨底部护板（6）连接有石墨底座支柱（7）。
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