[实用新型]一种带保护层的晶体硅太阳能电池组件有效
申请号: | 201220413114.5 | 申请日: | 2012-08-20 |
公开(公告)号: | CN202695455U | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 金刘 | 申请(专利权)人: | 江苏格林保尔光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 金辉 |
地址: | 213161 江苏省常州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 保护层 晶体 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,特别涉及一种带保护层的晶体硅太阳能电池组件。
背景技术
太阳能电池组件,也叫太阳能电池板,是太阳能发电系统中的核心部分,也是太阳能发电系统中最重要的部分。太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。太阳能电池作为绿色能源,越来越受到人们的关注。晶体硅材料质量对太阳电池的效率起至关重要的作用,晶体硅基体材料表面缺陷密度很高,如大量的悬挂键、杂质和断键等,导致硅片表面少子寿命大大降低,复合速率较低。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服现有技术存在的缺陷,提供一种转换效率高的带保护层的晶体硅太阳能电池组件。
实现本实用新型目的的技术方案是:一种带保护层的晶体硅太阳能电池组件,具有依次层叠的负极层、N型硅层、P型硅层和正极层;还具有减反射膜层和钝化膜层;所述减反射膜层设置在负极层和N型硅层之间;所述减反射膜层和N型硅层之间以及正极层和P型硅层之间均具有钝化膜层。
上述技术方案所述减反射膜层为氮化硅层。
上述技术方案所述钝化膜层为二氧化硅层。
上述技术方案所述负极层和正极层均为银层。
上述技术方案所述负极层的表面上设有通过网版图形印刷形成的主栅以及与主栅垂直且等间距分布的副栅。
上述技术方案所述正极层上具有背电极和背电场。
采用上述技术方案后,本实用新型具有以下积极的效果:
(1)本实用新型采用PECVD沉积氮化硅膜作为太阳能组件的减反射膜层,主要作用是减少光的反射,而且氮化硅膜含有大量的氢,可以很好的钝化硅中的表面悬挂键,从而提高了载流子迁移率;同时,在氮化硅膜与N型硅之间沉积二氧化硅膜,可以更有效的减少入射光在太阳能电池表面的反射损失,提高太阳能组件吸收阳光的量,并能让太阳能组件吸收来自各个角度的全部阳光光谱,从而使太阳能电站的经济效益大为改善。
(2)本实用新型的正极层和P型硅层之间设有钝化膜层;钝化膜层为二氧化硅层,二氧化硅具有吸杂、钝化的作用,可以提高反射效率。
(3)本实用新型应用银浆料制作电极和背电场,优化图形设计,不仅确保了电极良好的导电性、可焊性以及背电场的平整性,更具有优异的印刷性能、附着力高、弯曲度低和转换效率高的优点。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中
图1为本实用新型的结构示意图;
图中1.负极层,11.主栅,12.副栅,2.N型硅层,3.P型硅层,4.正极层,41.背电极,42.背电场,5.减反射膜层,6.钝化膜层。
具体实施方式
(实施例1)
见图1,本实用新型具有依次层叠的负极层1、N型硅层2、P型硅层3、正极层4、减反射膜层5和钝化膜层6;负极层1和正极层4均为银层;负极层1的表面上设有通过网版图形印刷形成的主栅11以及与主栅11垂直且等间距分布的副栅12;正极层4上具有背电极41和背电场42;减反射膜层6设置在负极层1和N型硅层2之间;减反射膜层6和N型硅层2之间以及正极层4和P型硅层3之间均具有钝化膜层5。其中,减反射膜层5为氮化硅层;钝化膜层6为二氧化硅层。
以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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