[实用新型]一种薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201220388606.3 | 申请日: | 2012-08-07 |
公开(公告)号: | CN202796969U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 邱骏;王华磊;胡居涛 | 申请(专利权)人: | 江苏武进汉能光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0376 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 徐琳淞 |
地址: | 213000 江苏省常州市常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种薄膜太阳能电池。
背景技术
目前常见的薄膜太阳能电池大多都是以AZO ,BZO,FTO作为电池的前电极,由于在目前薄膜电池生产中对TCO薄膜高透射率与低电阻率有一定的要求,所以一般该TCO层均较厚,有一定的制程要求,BZO及FTO均只能通过CVD 制程完成,需消耗大量的气源。如果制备具有一定透射率的薄膜电池组件,可以考虑采用仅仅沉积非晶硅单结薄膜电池,减少吸收层对光的吸收,增大透射,如此可以制备得到see-through薄膜太阳能组件。
AZO是铝掺杂的氧化锌(ZnO)透明导电玻璃。
BZO是硼掺杂的氧化锌(ZnO)透明导电玻璃。
FTO导电玻璃为掺杂氟的SnO2透明导电玻璃(SnO2:F),简称为FTO。
CVD(Chemical Vapor Deposition)即化学气相沉积,指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种薄膜太阳能电池,解决目前TCO前电极玻璃主要以CVD方法制备,且膜层后期不易控制,对于薄膜电池制备工艺调试有一定限制的缺点,同时还能制备出不同颜色的薄膜电池组件。
为了解决上述技术问题,本实用新型所提供的技术方案是:一种薄膜太阳能电池,包括玻璃面、阻隔层、超薄金属银膜、第一AZO或GZO薄膜、吸收层、第二AZO或GZO薄膜、金属膜或透明导电薄膜、胶膜层和背板玻璃;所述阻隔层设置在玻璃面上;所述超薄金属银膜沉积在阻隔层上;所述第一AZO或GZO薄膜溅射在超薄金属银膜上;所述吸收层沉积在第一AZO或GZO薄膜上;所述第二AZO或GZO薄膜溅射在吸收层上;所述金属膜或透明导电薄膜沉积在第二AZO或GZO薄膜上;所述背板玻璃通过胶膜层粘贴在金属膜或透明导电薄膜上。
所述阻隔层为氧化硅或氧化钽或氧化铝或氧化钛。
所述超薄金属银膜的厚度为1~20nm。
所述第一AZO或GZO薄膜的厚度为50~800nm。
所述吸收层为单节非晶硅薄膜。
所述第二AZO或GZO薄膜的厚度为50~300nm。
所述金属膜或透明导电薄膜为银薄膜或铝薄膜或铜薄膜或镍铬薄膜或铬薄膜或铟锡氧化物半导体透明导电膜或AZO薄膜或GZO薄膜。
所述胶膜层为PVB或EVA胶膜。
采用了上述技术方案后,本实用新型具有以下的有益效果:(1)本实用新型的超薄金属银膜沉积在阻隔层上,可以降低电阻率,降低TCO前电极的厚度,有效解决目前TCO前电极玻璃主要以CVD方法制备,且膜层后期不易控制,对于薄膜电池制备工艺调试有一定限制的缺点;同时由于超薄金属银膜对可见光具有透过性,但对红外光具有反射性,因此还能有效减少原料消耗和制程周期。
(2)本实用新型的吸收层为单节非晶硅薄膜,由于单节非晶硅薄膜对可见光波段有吸收,但对红外波段不敏感,因此通过调节阻隔层、超薄金属银膜、第一AZO或GZO薄膜、以及第二AZO或GZO薄膜的厚度搭配,再结合吸收层可以制备出显示不同颜色的薄膜电池组件。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中
图1为本实用新型的结构示意图。
附图中的标号为:
玻璃面1、阻隔层2、超薄金属银膜3、第一AZO或GZO薄膜4、吸收层5、第二AZO或GZO薄膜6、金属膜或透明导电薄膜7、胶膜层8、背板玻璃9。
具体实施方式
(实施例1)
见图1,本实施例的薄膜太阳能电池包括玻璃面1、阻隔层2、超薄金属银膜3、第一AZO或GZO薄膜4、吸收层5、第二AZO或GZO薄膜6、金属膜或透明导电薄膜7、胶膜层8和背板玻璃9。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的