[实用新型]适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板有效
| 申请号： | 201220380951.2 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN202772851U | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李坡;李冬强;高志祥;袁波;谢科伟 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水;陈勤 |
| 地址： | 210028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适用于 基频 invertmesa 晶片 镀膜 用掩膜板 | ||
【权利要求书】：
1.一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是由完成高基频InvertMesa晶片初镀第一次镀膜过程的A版掩膜板和完成高基频InvertMesa晶片初镀第二次镀膜过程的B版掩膜板组成。
2.根据权利要求1所述的一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是所述的A版掩膜板包括一晶片定位板、一镀膜电极下底板和一镀膜电极上盖板，其中一晶片定位板具有若干晶片限位槽，以在镀膜过程中放置并稳定晶片；一镀膜电极下底板具有与晶片定位板上限位槽对应的镂空部分和掩膜部分，置于晶片定位板下方以为晶片下表面提供镀膜电极；一镀膜电极上盖板具有与晶片定位板限位槽和电极下底板上镂空电极对应的镂空及掩膜部分。
3.根据权利要求1所述的一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是B版掩膜板包括与A版掩膜板作用相同的一晶片定位板、一镀膜电极下底板和一镀膜电极上盖板；对应组件由A版掩膜板组件镜像对称得到。
4.根据权利要求1所述的一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是：高基频InvertMesa晶片两面“孤岛”区域的两次镀膜中心保持同心等高。
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