[实用新型]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

在液晶显示技术领域中，因高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch，AD-SDS，简称ADS）型阵列基板具有视角宽等优点，所以得到广泛的使用。ADS技术主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。

如图1和图2所示，现有技术中，ADS型阵列基板包括多个像素单元，每一个像素单元中，在玻璃基板上首先制作有根据图形由栅极层做出的栅极线（Gate）05，在栅极层的上方为均匀沉积的栅绝缘层（Gate Insulator）03，栅绝缘层03的上方设有具有设定图形结构的半导体层（active）07，在半导体层07的上方为制作具有预定图形结构的源极（Source）08和漏极（Drain）010的源漏极金属层，在上述源漏极金属层上方设有具有制作像素电极01的第一透明金属层（由于第一透明金属层通常采用ITO材料，因此第一透明金属层也可称为1st ITO），在第一透明金属层的上方为均匀沉积的钝化层（PVX，SiNx保护层）04，而在钝化层04上方为制作具有预定图形的公共电极02的第二透明金属层（也称为2nd ITO），其中公共电极02上形成有多个狭缝结构。

一块液晶面板存在多个像素单元，位于液晶面板成像区域的每一个像素单元显示区域的像素电极01被后来制作的多层结构覆盖，无法进行TFT半导体特性的测试，因此现有技术中在整个液晶面板的边缘部位设有专门用于测试的检测模块。这些检测模块仅仅制作至像素电极层，位于像素电极上方的多层结构并未制作，因此可以用测试装置测量这些检测模块的像素电极；测试时，对检测模块的像素电极与像素单元的像素电极施加相同的电压以及电流等条件，通过测试检测模块像素电极的半导体特性来推断其它像素单元中像素电极的半导体特性。

但是，由于检测模块与其它各个像素单元之间存在电阻等差异因素，通过测试检测模块的像素电极得出的测试结果与各个像素单元像素电极的实际特性有很大差异，不利于对TFT深入的分析和研讨，有时候甚至无法确切掌握所设计TFT的实际工作情况到底如何，造成很大的不确定隐患。

因此，如何提供一种阵列基板，以提高对每一个单独的像素区域中像素电极测试的精确性，是本领域技术人员需要解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供了一种阵列基板，该阵列基板能够对每一个像素单元的像素电极进行单独测试，所以能够提高对每一个单独的像素区域中像素电极测试的精确性。

为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案：

一种阵列基板，包括多个像素单元，每一个所述像素单元包括第一透明金属层和第二透明金属层，所述第一透明金属层形成像素电极，所述第二透明金属层形成公共电极，且所述第二透明金属层位于所述像素单元表面，所述第一透明金属层与所述第二透明金属层之间设有绝缘防护层；每一个所述像素单元的像素电极延伸出测试部，所述第二透明金属层还形成有与所述测试部对应的测试块，所述测试块与所述公共电极相互隔离，所述绝缘防护层位于所述测试块与所述测试部之间的部分设有至少一个过孔，所述测试块与所述测试部通过所述过孔电连接。

优选地，所述过孔为至少两个。

优选地，所述过孔内填充有连接部，所述连接部与所述测试块具有沉积而成的一体式结构。

优选地，所述测试部与测试块所在区域位于像素单元的显示区域之外。

优选地，所述像素单元中包含有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用顶栅型结构。

优选地，每一个所述像素单元中：

形成于基板上的数据线、源极和漏极，所述源极与相邻的数据线电连接；

形成于所述基板上、以及所述源极和所述漏极之间的沟道内的第一绝缘层;

形成于所述源极和漏极上的具有预定图形结构的有源层;

形成于所述数据线和所述有源层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层具有过孔；

形成于所述第二绝缘层上的像素电极，所述像素电极通过所述第二绝缘层上的过孔与所述漏极电连接，且所述像素电极延伸出的所述测试部位于所述数据线的上方；