[实用新型]一种改进的可控硅结构

说明书

技术领域

    本实用新型涉及一种改进的可控硅结构，属于可控硅生产领域。

背景技术

可控规生产过程中，阴极和门极均靠氧化层保护，采用氧化层保护，存在如下缺点：1、氧化层易受到杂质离子影响造成阴极、门极间漏电大，器件失效；2、表面浓度越淡，表面易形成反型，容易使器件失效；3、阴极和门极之间因工作时存在工作电流和电压，使用过程中易造成此处PN结烧毁，器件失效。因此，应该提供一种新的技术方案解决上述问题。

实用新型内容

    本实用新型的目的是提供一种表面无烧毁、可靠性高的改进的可控硅结构。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种改进的可控硅结构，包括台面槽、穿通环、长基区、正面短基区、背面短基区、阴极区和门极区，所述穿通环设于长基区的四周，所述阴极区和门极区之间开有阴极门极间槽，所述阴极门极间槽内填充有玻璃粉。

本实用新型的优点是：在阴极区和门极区之间开有间槽，并在槽内填充高纯度玻璃粉，玻璃粉耐压高，漏电低，也不存在反型条件和表面烧毁现象，大大提高了可控硅的可靠性。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细叙述。

图1为本实用新型结构俯视图。

图2为本实用新型结构剖视图。

其中：1、台面槽，2、穿通环，3、长基区，4、正面短基区，5、背面短基区，6、阴极区，7、门极区，8、阴极门极间槽，9、玻璃粉。

具体实施方式

如图1和2所示，本实用新型一种改进的可控硅结构，包括台面槽1、穿通环2、长基区3、正面短基区4、背面短基区5阴极区6和门极区7，穿通环2设于长基区3的四周，阴极区6和门极区7之间开有阴极门极间槽8，阴极门极间槽8内填充有玻璃粉9。