[实用新型]基于IGBT半桥门极驱动的叉锁保护电路有效
申请号: | 201220256664.0 | 申请日: | 2012-06-02 |
公开(公告)号: | CN202633913U | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 冀国文 | 申请(专利权)人: | 深圳市威科达科技有限公司 |
主分类号: | H02H7/12 | 分类号: | H02H7/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 igbt 半桥门极 驱动 保护 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种工控行业门极驱动电路,尤其是涉及一种基于IGBT半桥门极驱动的叉锁保护电路。
背景技术
IGBT管器件由于其低的导通损耗、小的平均驱动功率和快速的开关特点,目前已经普遍的应用于变频器、逆变器、开关电源等设备中。在国内一般用驱动专用隔离芯片,如HCPL316J、PC929、HCPL3120、HCPL3140、TLP250等驱动IGBT,大功率用一对三极管进行放大;都是只能驱动一路IGBT门极,部分产品有欠压保护和管压降保护;只有国外IR有专用芯片可以实现上下桥臂叉锁保护功能,但都是不隔离的,用于AC220以下低压驱动还可以,电压高时电磁干扰比较大,可靠性低;当电压高时,CPU产生的6路PWM波形在传输过程中可能受干扰引起上下桥臂没有死区或直通,造成功率器件的直接损坏。
发明内容
本实用新型目的是提供一种基于IGBT半桥门极驱动的叉锁保护电路。以解决现有技术所存在电路成本高、不能对输出上下桥起保护作用、功率器件易损坏等技术问题。
为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:基于IGBT半桥门极驱动的叉锁保护电路,包括CPU产生的PWM信号、与非门、双二极管、电阻、电容;所述CPU产生的PWM信号U1+输出端与与非门U7C连接,该与非门U7C的输出端与与非门U7D的输入端连接;所述CPU产生的PWM信号U1+输出端与双二极管DA15负端连接,该双二极管DA15的正端与与非门U7A的输入端连接;所述电压源CPU产生的PWM信号U1-输出端与与非门U7B连接,该与非门U7B的输出端与与非门U7A的输入端连接;所述CPU产生的PWM信号U1-输出端与双二极管DA14负端连接,该双二极管DA14的正端与与非门U7D的输入端连接。
作为优选,所述双二极管DA14、DA15另一负端与CPU产生的PWM信号的U1+、U1-连接,另一端与OC网络连接。
作为优选,所述与非门U7C、与非门U7D、DA14组成上桥门极驱动器;与非门U7B、与非门U7A、双二极管DA15组成下桥门极驱动器。
作为优选,所述上桥门极驱动器与下桥门极驱动器之间设充电电路,该充电电路包括电容、电阻,其中电容通过电阻充电产生延时时间。
本实用新型具有电路成本低、能同时驱动上下桥的与非门,对芯片起到保护作用等优点,大大降低IGBT驱动电路的损坏率,使马达驱动产品更可靠工作。
附图说明
图1是本实用新型的电路图。
具体实施方式
下面通过实施例,并结合附图,对本实用新型的技术方案作进一步具体说明。
图1是本实用新型的电路图。由图1可知,基于IGBT半桥门极驱动的叉锁保护电路,主要由CPU产生的PWM信号、与非门、双二极管、电阻、电容等组成;其中CPU产生的PWM信号U1+输出端与与非门U7C连接,该与非门U7C的输出端与与非门U7D的输入端连接;所述CPU产生的PWM信号U1+输出端与双二极管DA15负端连接,该双二极管DA15的正端与与非门U7A的输入端连接。CPU产生的PWM信号U1-输出端与与非门U7B连接,该与非门U7B的输出端与与非门U7A的输入端连接;所述CPU产生的PWM信号U1-输出端与双二极管DA14连接,该双二极管DA14的正端与与非门U7D的输入端连接。双二极管DA14、DA15另一正端与CPU产生的PWM信号的正负极连接,另一负端与OC网络连接。双二极管D14和D15与OC网络相连,目的是当驱动电路有故障时锁死所有的驱动信号。
与非门U7C、与非门U7D、双二极管DA14组成上桥门极驱动器;与非门U7B、与非门U7A、双二极管DA15组成下桥门极驱动器。上桥门极驱动器与下桥门极驱动器之间设充电电路,该充电电路包括电容、电阻,其中电容通过电阻充电产生延时时间。
工作原理: CPU发出的PWM脉冲信号为上下桥部互补且有死区的信号U1+,U1-;在传输过程中,信号U1+,U1-接收的信号可能受到干扰,可能上下桥臂同时为触发有效电平或者没有死区。若CPU产生的PWM信号U1+,U1-同时接收到低电平信号(有效驱动电平)时,由双二极管DA14和DA15起作用使与非门U7A和U7D同时输出高电平信号,门极不会被触发;当CPU产生的PWM信号U1+,U1-同时接收到高电平信号,由与非门U7B和U7C起作用,、与非门U7A和U7D同时输出高电平信号,门极不会被触发。
当U1+为低电平,U1-为高电平时,U1+对应的上桥信号经与非门U7C后变为高电平,U1-由负极到正极跳变沿之前电容C35是没有充电的,跳变沿之后电容C35由电阻R101充电产生延时时间,充满电后与非门U7D的引脚13立即变为高电平,同时产生驱动信号。这部分电路在没有死区时会自动产生死区,而有死区时只要死区大于RC充电时间以CPU产生的死区时间为准。由于电路是对称的,当U1+为高电平,U1-为低电平时,与上述工作原理相同。
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