[实用新型]测试分选硅片表面温度自动整定装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及测试分选硅片表面温度自动整定装置。

背景技术

现有技术中，烧结炉与测试装置之间设有将烧结炉下料后的硅片搬运至测试装置的搬运装置，但是硅片在搬运过程中自然冷却降温。但是烧结炉下料后硅片表面温度过高（一般约30℃左右），Berger测试系统要求硅片温度在25℃±2℃，设备本身采用的自然降温难以满足测试系统要求，然超出此温度范围的前提下测试将会严重影响测试精度。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题就是提供一种测试分选硅片表面温度自动整定装置，自动整定搬运中硅片的温度，保证测试精度。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：测试分选硅片表面温度自动整定装置，烧结炉与测试装置之间设有将烧结炉下料后的硅片搬运至测试装置的搬运装置，其特征在于：所述搬运装置上方设有对搬运过程中的硅片进行冷却的冷却装置。

作为优选，所述冷却装置为搬运装置上方的散热风扇。

作为优选，所述散热风扇连接温控开关，温控开关通过实时监测硅片温度来控制散热风扇的功率输出以实现硅片在搬运过程中表面温度的自整定。

烧结炉下料后，Baccini采用搬运装置将硅片搬运至测试区测试，通过在搬运装置的正上方加装散热风扇，并通过温控开关来控制散热风扇的功率输出，借以实现硅片在搬运过程中表面温度的自整定。

本实用新型烧结炉下料后不需要等待自然降温后再测试，使得烧结测试的整体衔接更加顺畅，提升了测试产能；而且通过温控开关控制散热风扇的功率输出避免了过度散热导致硅片表面温度过低引起的测试误差。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步描述：

图1为本实用新型结构示意图。

具体实施方式

结合图1具体说明本实用新型测试分选硅片表面温度自动整定装置的实施例，烧结炉1与测试装置2之间设有将烧结炉下料后的硅片搬运至测试装置的搬运装置3，所述搬运装置上方设有对搬运过程中的硅片进行冷却的冷却装置。所述冷却装置为搬运装置上方的散热风扇4。所述散热风扇连接温控开关，温控开关通过实时监测硅片温度来控制散热风扇的功率输出以实现硅片在搬运过程中表面温度的自整定。