[实用新型]提高富集电荷能力的太阳能电池有效
申请号: | 201220245699.4 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN202721139U | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 钱腾达;顾锡淼 | 申请(专利权)人: | 嘉兴优太太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 314050 浙江省嘉兴市南湖区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 富集 电荷 能力 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池,具体地,涉及提高富集电荷能力的太阳能电池。
背景技术
光伏板组件是一种暴露在阳光下便会产生直流电的发电装置,基本上主要以半导体物料(例如硅)制成的固体光伏电池组成,包括P型半导体和N型半导体。P型半导体(P指positive,带正电的):由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成,会在半导体内部形成带正电的空穴;N型半导体(N指negative,带负电的):由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成,会在半导体内部形成带负电的自由电子。
在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的。N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合,载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区。P型半导体一边的空间电荷是负离子,N型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散,达到平衡。
当光的频率超过某一极限频率时,受光照射的太阳能电池板表面立即就会逸出光电子,发生光电效应。当在太阳能电池板外面加一个闭合电路,加上正向电源,这些逸出的光电子全部到达阳极便形成所 谓的光电流。位于太阳能电池正面的栅线正式为了富集电荷。但在现有技术中,副栅线的长度较短,不利于电荷的充分富集,另外,某一副栅线与主栅线断路后则其负责富集电荷的区域将不能正常工作。
实用新型内容
针对现有技术中的缺陷,本实用新型的目的是提供一种提高富集电荷能力的太阳能电池。
根据本实用新型的一个方面,提供一种提高富集电荷能力的太阳能电池,包括硅片、以及设置在硅片上的主栅线和副栅线,所述副栅线连接所述主栅线,还包括辅助栅线,其中,每一条所述辅助栅线均连接多条所述副栅线。
优选地,所述辅助栅线为曲线。
优选地,所述辅助栅线呈锯齿状延伸。
优选地,所述辅助栅线呈波浪状延伸。
优选地,所述辅助栅线还连接所述主栅线。
优选地,所述辅助栅线为直线。
优选地,所述辅助栅线垂直于所述副栅线。
优选地,所述辅助栅线与所述副栅线之间的夹角小于50度。
优选地,每一条所述辅助栅线均连接位于所述主栅线一侧的全部副栅线。
本实用新型通过连接所述副栅线的所述辅助栅线增加了太阳能电池表面富集电荷的栅线的长度,从而可以充分富集电荷,进一步地,所述副栅线之间通过所述辅助栅线互相电气连接,从而当某一副栅线与主栅线短路后,其仍然可以通过所述辅助栅线和其它副栅线连接至所述主栅线。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1示出根据本实用新型的第一实施例的提高富集电荷能力的太阳能电池;
图2示出根据本实用新型的第二实施例的提高富集电荷能力的太阳能电池。
具体实施方式
图1示出根据本实用新型的第一实施例的提高富集电荷能力的太阳能电池。具体地,根据本实用新型提供的提高富集电荷能力的太阳能电池,包括硅片1、以及设置在硅片1上的主栅线2和副栅线3,所述副栅线3连接所述主栅线2,还包括辅助栅线4,其中,每一条所述辅助栅线4均连接多条所述副栅线3。
更为具体地,所述辅助栅线为直线。所述辅助栅线垂直于所述副栅线。优选地,每一条所述辅助栅线均连接位于所述主栅线一侧的全部副栅线。本实用新型通过连接所述副栅线的所述辅助栅线增加了太阳能电池表面富集电荷的栅线的长度,从而可以充分富集电荷,进一步地,所述副栅线之间通过所述辅助栅线互相电气连接,从而当某一副栅线与主栅线短路后,其仍然可以通过所述辅助栅线和其它副栅线连接至所述主栅线。
在本实施例的一个变化例中,所述辅助栅线与所述副栅线之间的夹角小于50度。进一步地,所述辅助栅线还连接所述主栅线。也就是说,所述辅助栅线和所述副栅线构成网格状的电气连接网络。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的