[实用新型]提高硅片电性能的退火炉网带

说明书

技术领域

本实用新型涉及单晶、多晶硅片生产用退火炉，特别涉及一种提高硅片电性能的退火炉网带。

背景技术

传统的退火技术是网带整个面与单、多晶硅片表平面直接接触，在高温退火时由于网带与硅片表面接触较多，不能充分把硅片中的杂质加热燃烧去除。使得单晶、多晶硅片在实际生产过程中产生大量的高电阻类型，这些高电阻类型的硅片往往只能退回做库存或者重新生长单、多晶硅片使用，生产成本无形增加，利用率降低。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：为了克服现有技术中，退火炉网带与硅片接触影响硅片电性能的不足，本实用新型提供一种提高硅片电性能的退火炉网带，能在退火炉中使硅片去除表面杂质，使硅片达到技术标准要求。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种提高硅片电性能的退火炉网带，包括网带本体，所述的网带本体的上表面设有等间隔的凸起，为了充分燃烧硅片中的杂质，需要设置好凸起的间隔，相邻两个凸起之间的间隔为2cm～8cm；所述的凸起凸出网带本体的高度大致相同，为了保证退火时硅片能够稳定地放置在网带上，所述的凸起凸出网带本体的高度为0.5cm～1.5cm。

为了减小退火时，硅片与网带的接触面积，所述的凸起截面为倒V形，可以设置倒V形的顶端为圆弧过渡，避免凸起刮伤硅片。

本实用新型的有益效果是，本实用新型提高硅片电性能的退火炉网带，每隔2cm～8cm网带上凸0.5cm～1.5cm，减少了网带与硅片的接触，在高温退火时能充分燃烧硅片中的杂质，达到了降低成本、减少污染、提高产能的效果和目的。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型提高硅片电性能的退火炉网带最优实施例的结构示意图。

图2是图1中A处的局部放大图。

图中1、网带本体，2、凸起，3、硅片，4、横向钢丝，5、纵向钢丝。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图1所示，本实用新型提高硅片电性能的退火炉网带最优实施例的结构示意图。包括横向钢丝4和纵向钢丝5，所述的横向钢丝4和纵向钢丝5均等间隔设置并形成矩形网格，各个矩形网格的顶点可以分为相对于网带上表面凸起或者下凹的凸起点和下凹点，凸起点之间为等间隔设置，所述的凸起点即为所述的凸起2，相邻两个凸起2之间的间隔为5cm，凸起2凸出网带本体1的高度为1cm。凸起2的截面为倒V形，由横向钢丝4上凸形成。

以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。