[实用新型]一种吸收电容结构

说明书

技术领域

 本实用新型涉及吸收电容器，特别是一种应用在桥式逆变回路上的一体化吸收电容结构。

背景技术

商用电磁炉通常采用半桥或全桥逆变拓扑结构，在高频逆变过程中为了实现开关器件的软开关，通常需要增加吸收电容做缓冲电路，以降低关断时刻的开关损耗。由于处于高的关断电流条件下，吸收电容自身发热严重。现有的吸收电容通常为分立结构，吸收电容与IGBT的CE极比较远，引脚比较长，杂散电感较大，吸收效果比较差；另外由于受到IGBT封装模块的影响，吸收电容安装不方便。

发明内容

本实用新型的目的在于针对上述现有的问题而提供一种吸收电容结构，可以降低引脚的杂散电感，提高吸收电容的吸收效果，同时提高系统的可装配性，降低吸收电容的温度，增加吸收电容的可靠性。

实现本实用新型目的的技术方案是：一种吸收电容结构，其特征在于，其为两个一体化封装结构的电容，且设有能与IGBT管脚一一对应分别直接连接的端子。 

上述吸收电容包括第一电容芯子、第二电容芯子、第一端子、第二端子和第三端子，所述第一端子通过焊点与第一电容芯子的下端面相连；第二端子通过焊点与第二电容芯子的下端面相连；第三端子分别通过焊点与第一电容芯子的上端面、第二电容芯子上端面相连。

上述吸收电容通过填充物灌封于电容外壳中，所述端子从电容外壳中引出。

使用时，将本实用新型的第一端子、第二端子、第三端子分别与IGBT的三个管脚直接连接，形成本实用新型与IGBT直接并联的结构。

本实用新型的有益效果是，将电容模块做一体化设计，通过内部封装，引出与IGBT管脚一一对应的三根端子，直接并联在IGBT的模块上，具有装配方便，同时电容与IGBT模块等高，可以很方便地固定在IGBT模块的散热器上，有利于器件的散热。

附图说明

图1为本实用新型的整体与IGBT连接的示意图；

图2为本实用新型展开的具体结构示意图；

图３为本实用新型展开的另一视角具体结构示意图；

图４为本实用新型灌封完成后的结构示意图；

图５为本实用新型与IGBT连接的电气原理图。

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步说明。

如图2、图3、图4所示，本实用新型包括有第一电容芯子14、第二电容芯子15、第一端子11、第二端子12、第三端子13、电容外壳16和填充物17；第一端子11通过焊点143与第一电容芯子14的下端面相连；第二端子12通过焊点153与第二电容芯子15的下端面相连；第三端子13通过焊点142与第一电容芯子14的上端面相连，通过焊点152与第二电容芯子15上端面相连；然后通过填充物17灌封于电容外壳16中，第一端子11、第二端子12、第三端子13从电容外壳16中引出，构成两个一体化封装结构的电容结构，本实施例中，填充物17采用环氧树脂。

本实用新型使用时，如图1、图5所示，它的第一端子11、第二端子12、第三端子13分别与对应的IGBT模块2的第一管脚21、第二管脚22、第三23直接相连。

本实用新型通过将逆变电路中，IGBT两端的吸收电容进行一体化封装，使吸收电容的端子与IGBT的管脚一一对应，方便装配，同时此种结构吸收电容的引线相对比较短，可以有效地降低杂散电感；另外，吸收电容还可以直接固定在散热片上，其与IGBT等高的一体化设计，可以很方便的利用IGBT散热器对吸收电容进行散热，降低吸收电容的温升，有效地提高吸收电容的可靠性。