[实用新型]一种用于抛光机的压力圈

说明书

技术领域

本实用新型涉及硅片抛光技术领域，特别是涉及一种用于抛光机的压力圈。 

背景技术

硅片尺寸的不断增大以及特征线宽的减小，IC制造已大量使用大直径硅片，因此对硅晶片表面平整度要求将日趋严格，因为这是实现大规模集成电路立体化结构的关键。而在众多的平整化技术中，化学机械抛光是唯一能获得全局平面化效果的平整化技术，作为目前硅片超精密平整化加工的主要手段，一方面要求加工出的硅片达到纳米级表面粗糙度；另一方面为了提高硅片利用率，增加芯片产量，还要求整个硅片表面达到亚微米级面型精度。要达到上述这些要求，化学机械抛光抛光头相对于抛光盘的运动对保证硅片的加工精度具有至关重要的作用。尽管CMP技术发展的速度很快，但它们需要解决的理论及技术问题很多，如人们对抛光参数(如压力、转速、温度等)对平面度的影响。根据Preston模型给出的CMP过程的切除速率式为： 

R_λ＝KP_λV 

其中：R为各点表面的切除速率，P_λ为各点压力，V为晶片与抛光垫的相对速度，K为比例系数，可上述公式可知CMP的抛光质量与其压力分布密切相关。传统工艺所用的压力圈虽然具有分压作用，但是有压力圈与陶瓷盘间隙极小容易造成陶瓷盘与压力圈局部呈真空状态导致硅片在抛光过程中陶瓷盘被吸附于抛光头上，导致陶瓷盘和硅片碎片风险增加。 

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于抛光机的压力圈，能够降低硅片和陶瓷盘破裂风险。 

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种用于抛光机的压力圈，包括压力圈本体，所述压力圈本体的表面上设有开槽结构。 

所述开槽结构的间距为10*10mm、5*5mm或20*20mm。 

所述开槽结构的槽宽为1-3mm。 

所述压力圈本体的内直径为250-350mm，外直径为350-450mm。 

所述压力圈本体由绒毛结构的聚氨酯材料制成。 

有益效果 

由于采用了上述的技术方案，本实用新型与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：本实用新型利用压力圈凹凸不平的表面破坏陶瓷盘和压力圈之间的水膜，从而彻底解决了在硅片抛光过程中吸附陶瓷盘的问题，减少了陶瓷盘和硅片破碎的几率。 

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图； 

图2是使用本实用新型进行抛光加工运行平面结构示意图。 

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。 

本实用新型的实施方式涉及一种用于抛光机的压力圈，如图1所示，包括压力圈本体1，所述压力圈本体1的表面上设有开槽结构2。其中，开槽结构2的间距为10*10mm、5*5mm或20*20mm，槽宽为1-3mm；压力圈本体1的内直径为250-350mm，外直径为350-450mm。压力圈本体1由绒毛结构的聚氨酯材料制成。 

如图2所示，本实用新型利用压力圈凹凸不平的表面破坏陶瓷盘3和压力圈1之间的水膜，从而彻底解决了在硅片抛光过程中吸附陶瓷盘的问题，减少了陶瓷盘3和硅片4破碎的几率。