[实用新型]一种新型的电永磁控制器有效
申请号: | 201220165672.4 | 申请日: | 2012-04-18 |
公开(公告)号: | CN202754683U | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 黄大启;黄斌;任争胜 | 申请(专利权)人: | 株洲悍威磁电科技有限公司 |
主分类号: | B66C1/08 | 分类号: | B66C1/08 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 412007 湖南省株洲市天元区栗雨工*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 永磁 控制器 | ||
技术领域
本实用新型属于电气控制技术领域,尤其涉及一种新型的电永磁控制器。
背景技术
电控永磁铁是一种经济环保的起重及装夹设备,它只在充磁和退磁的0.1秒至0.6秒的时间内耗费电能,具有节能环保、运行安全等特性,同时电控永磁铁还具有永磁起重器的安全特性,因此近年来得到了广泛的应用。
电永磁控制器是电控永磁铁的必备部件,传统的电永磁控制器的结构如图1所示,包括第一可控硅SCR11、第二可控硅SCR12、第一继电器K11和第二继电器K12。其中:第一可控硅SCR11的阳极连接至火线、阴极连接至第一继电器K11的动触点、控制极接入控制信号,第一继电器K11的第一静触点连接至电控永磁铁中第二励磁线圈L12的第一端、第二静触点连接至电控永磁铁中第一励磁线圈L11的第一端;第二可控硅SCR12的阴极连接至火线、阳极连接至第二继电器K12的动触点、控制极接入控制信号,第二继电器K12的第一静触点连接至第一励磁线圈L11的第一端、第二静触点连接至第二励磁线圈L12的第一端;第一励磁线圈L11的第二端以及第二励磁线圈L12的第二端分别连接至零线。
传统的电永磁控制器的工作过程为:充磁阶段,第一可控硅SCR11和第二可控硅SCR12都被触发导通,第一继电器K11的动触点位于其第一静触点,第二继电器K12的动触点位于其第一静触点,第二励磁线圈L12通过正向的瞬时电流,第一励磁线圈L11通过反向的瞬时电流,此时电控永磁铁充磁,工件被吸住;退磁阶段,第一继电器K11的动触点移动至其第二静触点,第二继电器K12的动触点移动至其第二静触点,之后第一可控硅SCR11和第二可控硅SCR12都被触发导通,第一励磁线圈L11通过正向的瞬时电流,第二励磁线圈L12通过反向的瞬时电流,此时电控永磁铁退磁,工件被释放。
但是,电控永磁铁的励磁线圈为大电感性励磁线圈,且励磁时的电流变化很大(瞬时电流达到80安培以上),造成可控硅关断时承受的反压较大,由于传统的电永磁控制器采用可控硅直接整流的方式,因此极易导致可控硅被击穿损坏,缩短了电永磁控制器的使用寿命,甚至会造成电控永磁铁中励磁线圈的损坏。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种新型的电永磁控制器,可通过对传统电永磁控制器进行结构改进,降低可控硅关断时承受的反压,从而降低可控硅被击穿损坏的概率,进而延长电永磁控制器的使用寿命,同时降低电控永磁铁中的励磁线圈被损坏的概率。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种新型的电永磁控制器,包括第一可控硅、第二可控硅、第一继电器和第二继电器,还包括第一二极管和第二二极管;
所述第一可控硅的阳极连接至火线、阴极连接至所述第一二极管的阳极、控制极接入控制信号;
所述第一继电器的动触点连接至所述第一二极管的阴极、第一静触点连接至电控永磁铁中第二励磁线圈的第一端、第二静触点连接至所述电控永磁铁中第一励磁线圈的第一端;
第二可控硅的阴极连接至火线、阳极连接至所述第二二极管的阴极、控制极接入控制信号;
第二继电器的动触点连接至所述第二二极管的阳极、第一静触点连接至第一励磁线圈的第一端、第二静触点连接至第二励磁线圈的第一端;
第一励磁线圈的第二端以及第二励磁线圈的第二端分别连接至零线。
优选的,在上述电永磁控制器中,还包括并联于所述第一可控硅两端的第一RC阻容吸收网络和/或并联于所述第二可控硅两端的第二RC阻容吸收网络;
所述第一RC阻容吸收网络包括串联的第一电阻和第一电容;
所述第二RC阻容吸收网络包括串联的第二电阻和第二电容。
优选的,在上述电永磁控制器中,还包括第三继电器,所述第一励磁线圈的第二端以及第二励磁线圈的第二端分别通过所述第三继电器的辅助触点连接至所述零线。
优选的,在上述电永磁控制器中,还包括控制器,所述第一可控硅的控制极、所述第二可控硅的控制极、所述第一继电器的主线圈、所述第二继电器的主线圈和所述第三继电器的主线圈分别连接至所述控制器的一个输出端口。
由此可见,本实用新型的有益效果为:本实用新型公开的电永磁控制器中,增加了第一二极管和第二二极管,该第一二极管和第二二极管可以承受电控永磁铁中励磁线圈在可控硅关断瞬间产生的大量反压,降低电永磁控制器中可控硅承受的反压,从而降低了可控硅被击穿损坏的概率,进而延长电永磁控制器的使用寿命,同时降低了电控永磁铁中的励磁线圈被损坏的概率。
附图说明
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