[实用新型]移位寄存器、栅极驱动装置和显示装置

权利要求书

1.一种移位寄存器，其特征在于，包括移位输入端、锁存器、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、移位正相输出端和移位反相输出端，其中，

所述第一薄膜晶体管，栅极与时钟信号输入端连接，漏极与所述锁存器的输入端连接；

所述第二薄膜晶体管，栅极与所述锁存器的正相输出端连接，源极与所述第三薄膜晶体管的漏极连接，漏极与驱动电源的高电平输出端连接；

所述第三薄膜晶体管，栅极与所述锁存器的反相输出端连接，源极与驱动电源的低电平输出端连接；

所述第一薄膜晶体管的源极与所述移位输入端连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述移位正相输出端连接，所述第三薄膜晶体管的栅极与所述移位反相输出端连接；

所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管是n型TFT。

2.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管的漏极分别与所述第三薄膜晶体管的栅极和所述锁存器的反相输出端连接。

3.如权利要求1或2所述的移位寄存器，其特征在于，所述锁存器包括第一反相器和第二反相器，其中，

所述第一反相器的输入端和所述第二反相器的输出端连接；

所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端连接；

所述第二反相器的输入端为所述锁存器的输入端；

所述第一反相器的输出端为所述锁存器的反相输出端；

所述第二反相器的输出端为所述锁存器的正相输出端。

4.如权利要求3所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一反相器包括第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管，所述第二反相器包括第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管和第九薄膜晶体管，其中，

所述第四薄膜晶体管，栅极和漏极与所述驱动电源的高电平输出端连接，源极与所述第五薄膜晶体管的栅极连接；

所述第五薄膜晶体管，漏极与所述驱动电源的高电平输出端连接，源极分别与所述第一薄膜晶体管的漏极、所述第三薄膜晶体管的栅极和所述第六薄膜晶体管的漏极连接；

所述第六薄膜晶体管，栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接，源极与所述驱动电源的低电平输出端连接；

所述第七薄膜晶体管，栅极和漏极与所述驱动电源的高电平输出端连接，源极与所述第八薄膜晶体管的栅极连接；

所述第八薄膜晶体管，漏极分别与所述驱动电源的高电平输出端连接；

所述第九薄膜晶体管，源极与所述驱动电源的低电平输出端连接；

所述第五薄膜晶体管的源极与所述锁存器的反相输出端连接，所述第八薄膜晶体管的源极与所述锁存器的正相输出端连接，所述第九薄膜晶体管的栅极与所述锁存器的输入端连接；

所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管、所述第七薄膜晶体管、所述第八薄膜晶体管和所述第九薄膜晶体管都是n型TFT。

5.如权利要求4所述的栅极驱动装置，其特征在于，

所述第五薄膜晶体管的源极与所述第九薄膜晶体管的栅极连接；

所述第六薄膜晶体管的栅极分别与所述第八薄膜晶体管的源极和所述第九薄膜晶体管的漏极连接。

6.一种栅极驱动装置，其特征在于，包括多级如权利要求1至5中任一权利要求所述的移位寄存器；

除第一级移位寄存器之外，其余每个移位寄存器的移位输入端均和上一级移位寄存器的移位反相输出端连接。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的栅极驱动装置。

8.一种移位寄存器，其特征在于，包括移位输入端、锁存器、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和移位输出端，其中，

所述第一薄膜晶体管，栅极与时钟信号输入端连接，源极与所述锁存器的输入端连接；

所述第二薄膜晶体管，栅极与所述锁存器的正相输出端连接，漏极与所述第三薄膜晶体管的源极连接，源极与驱动电源的高电平输出端连接；

所述第三薄膜晶体管，栅极与所述锁存器的反相输出端连接，漏极与所述驱动电源的低电平输出端连接；

所述第一薄膜晶体管的漏极与所述移位输入端连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述移位输出端连接；

所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管是p型TFT。