[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

目前，TFT-LCD的显示模式主要有TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment，垂直取向)模式、IPS(In-Plane-Switching，平面方向转换)模式和ADSDS(ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转换，简称ADS)模式等。

其中，ADS技术主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

以ADS模式的TFT-LCD阵列基板为例，该阵列基板包括：一组栅极扫描线和与栅极扫描线垂直交叉的一组数据扫描线，相邻的栅极扫描线和数据扫描线限定了一个像素区。如图1所示，每一个像素区包括形成于透明基板10之上的栅极11、栅极绝缘层12、有源层13、源极15、漏极16、第一透明电极14(即板状电极)、钝化层17和第二透明电极18(即狭缝电极)，钝化层17具有连接栅极扫描线、数据扫描线和第二透明电极的过孔(图中未示出)。

在现有阵列基板的制造过程中，形成栅极和栅极扫描线图形，有源层图形，源极、漏极和数据扫描线图形，第一透明电极图形和过孔图形各需采用一次掩模构图工艺，图1所示的ADS模式的TFT-LCD阵列基板则需采用1+5次掩模构图工艺形成，如图2所示，其主要实施过程包括：

步骤101：在透明基板上沉积栅金属薄膜，通过第一次掩模构图工艺形成栅极和栅极扫描线图形；

步骤102：在完成步骤101的基板上依次沉积栅极绝缘层、有源层薄膜，通过第二次掩模构图工艺形成有源层图形；

步骤103：在完成步骤102的基板上沉积第一透明导电薄膜，通过第三次掩模构图工艺形成第一透明电极图形；

步骤104：在完成步骤103的基板上沉积源漏电极金属薄膜，通过第四次掩模构图工艺形成源极、漏极和数据扫描线图形；

步骤105：在完成步骤104的基板上沉积钝化层，通过第五次掩模构图工艺形成信号引导区过孔图形；

步骤106：在完成步骤105的基板上沉积第二透明导电薄膜，通过第六次掩模构图工艺形成第二透明电极图形。

现有技术存在的缺陷在于，现有阵列基板的结构形成第一透明电极，形成源极、漏极和数据扫描线各自均需采用一次掩模构图工艺，而每次掩模构图工艺均包括清洗、成膜、涂布、曝光、显影、干刻或湿刻、光刻胶剥离等步骤，这无疑使得阵列基板的制造工艺较为繁琐，产能较难提升。

实用新型内容

本实用新型提供了一种阵列基板及显示装置，用以解决现有技术中阵列基板的制造工艺较为繁琐，产能较难提升的技术问题。

本实用新型阵列基板，包括多个像素单元，其中每个像素单元包括一薄膜晶体管和一第一透明电极，所述薄膜晶体管包括有源层、源极和漏极，其中，

所述源极和漏极，位于有源层的上方或下方，并相对而置形成一第一沟槽；

所述第一透明电极，包括位于所述薄膜晶体管的区域之外的部分和延伸至所述源极和漏极的下方与源极和漏极层叠接触的部分，所述延伸至所述源极和漏极的下方与源极和漏极层叠接触的部分形成一与所述第一沟槽重合的第二沟槽，所述第二沟槽与第一沟槽共同构成有源层的沟道。

所述阵列基板，进一步包括：透明基板、栅极、与栅极连接的栅极扫描线、栅极绝缘层和与源极连接的数据扫描线，其中，

所述栅极和栅极扫描线，形成于透明基板之上；

所述栅极绝缘层，形成于栅极和栅极扫描线之上并覆盖整个基板；

所述有源层，形成于栅极绝缘层之上并位于栅极上方；

所述第一透明电极，形成于栅极绝缘层和有源层之上，与所述有源层层叠接触；

所述源极、漏极和数据扫描线，形成于第一透明电极之上，且所述源极和漏极在有源层的上方相对而置，形成与第二沟槽重合的第一沟槽。