[实用新型]高效太阳能电池结构有效
| 申请号: | 201220108055.0 | 申请日: | 2012-03-21 |
| 公开(公告)号: | CN202473942U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
| 发明(设计)人: | 韩海军;夏金才;朱宏杰;余振伟 | 申请(专利权)人: | 日地太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
| 地址: | 315040 浙江省宁波市宁波高新*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高效 太阳能电池 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池,特别是高效太阳能电池结构。
背景技术
硅太阳电池是一种物理电池,利用光伏原理将光能直接转化为电能的一种装置。由于其清洁、安全可靠的使用性能已越来越受到人们的重视。
太阳能电池遇到光照后产生电子,电子通过电池表面上的细栅线汇集到主栅线上,然后由主栅线引出电流。栅线就是起到导电作用。太阳能电池栅线一般是由银浆制成的,银浆通过特定的网板印刷在太阳能电池正面上,然后通过烘干、高温烧结而成。栅线的截面积大小决定其导电性能,过细的栅线也容易断裂,所以从导电性考虑,较粗的栅线具有较好的导电性;另外由于栅线印刷在太阳能电池的正面上,而正面就是太阳能电池吸收光的地方,有因为金属银浆是不透明物体,所以较粗的栅线增加了对太阳能电池表面的有效光照面积(能发电的面积)的遮挡,就是减少了电池的有效光照面积,从而也减少了电池整体的功率输出,而较细的栅线虽然减少了对太阳能电池表面的有效光照面积(能发电的面积)的遮挡,但是过细的栅线电阻大,也容易断裂,从而也影响了电池整体的功率输出。
基于上述问题,行业内有人提出,将栅线增高来使得栅线截面积增大,而目前的太阳能电池结构如图1所述,在电池片1上设有栅线,所述栅线是直接将银浆设于栅线位置上形成,但是考虑到制作栅线的银浆是流体,印刷高的栅线会使得银浆坍陷,铺开在电池表面上,造成了更大的遮挡面积,所以效果也不明显。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种结构简单、通过增加栅线高度从而提高电池效率的高效太阳能电池结构。
为了实现上述目的,本实用新型所设计的高效太阳能电池结构,包括电池片和栅线,所述栅线包括主栅线和细栅线,所述主栅线均分布于电池片正面,所述细栅线均匀垂直于主栅线,其特征是所述主栅线和细栅线是由银丝网涂覆银浆层组成。
通过铺设一层银丝网,减少了银浆的坍陷、铺开,就像浇混泥土一样,在混泥土里面加入钢筋,避免了混泥土的塌陷,增加了栅线的高度从而增加太阳能电池的发电效率。
作为优先方案:所述银丝网由20微米×40微米的银丝和800微米×40微米的银丝构成。通过优选方案的设计使得整体结构简单、设计合理,更好的实现发电的效率。
本实用新型得到的高效太阳能电池结构,与现有技术相比,通过铺设一层银丝网,将银浆设银丝网上,在减少了银浆的坍陷、铺开,实现了栅线高度的增加,从而增加太阳能电池的发电效率,同时优选方案的设计使得整体结构简单、设计合理,更好的实现发电的效率。
附图说明
图1是现有技术的部分结构示意图;
图2是实施例的整体结构示意图;
图3是图2中的局部放大图;
图4是实施例部分结构示意图;
图5是图4中A部分的放大图。
图中:电池片1、细栅线21、主栅线22、银丝网3、银浆4。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
实施例:
如图2、图3、图4、图5所示,本实施例提供的高效太阳能电池结构,包括电池片1和栅线,所述栅线包括主栅线22和细栅线21,所述主栅线22均分布于电池片1正面,所述细栅线21均匀垂直于主栅线22,所述主栅线22和细栅线21是由银丝网3涂覆银浆层4组成。
所述银丝网3由20微米×40微米的银丝和800微米×40微米的银丝构成。
具体的制造过程为:首选在太阳能电池正面印刷栅线2处铺设一层银丝网3,由于目前细栅线的普遍粗细为55微米左右,主栅线粗细为1800微米左右,高度均为30微米左右,其遮挡面积比于整个电池面积约为5%左右,而本实施例选用20微米×40微米的银丝和800微米×40微米左右的银丝做成的银丝网,铺设于太阳能电池正面的栅线2设置处,然后再在其上面印刷一层银浆4,最后通过对其进行烘干、烧结使得细栅线21的粗细形成为40微米左右,主栅线22的粗细为1000微米左右,高度均为50微米左右的太阳能电池。通过这样整体的制作使得遮挡面积比于整个电池面积约为3%左右,从而增加太阳能电池的发电效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





