[实用新型]掩膜版的晾干装置有效
申请号: | 201220106383.7 | 申请日: | 2012-03-20 |
公开(公告)号: | CN202494861U | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 侯广杰;游定平 | 申请(专利权)人: | 深圳市龙图光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82 |
代理公司: | 深圳市中原力和专利商标事务所(普通合伙) 44289 | 代理人: | 王英鸿 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜版 晾干 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及晾干技术领域,尤其涉及一种掩膜版的晾干装置。
背景技术
掩模版photomask,也称光罩、光学掩模版,常见的掩模版有铬版(chrome mask)、干版(emulsion mask)、菲林(film mask)等,是指在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位,以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构。
掩膜版制造过程的最后需要对掩膜版进行清洗干燥,目前掩膜版常规清洗干燥技术是把掩膜版直接放入到烘箱中进行烘烤,这样的结果是使掩膜版表面净化度达到顾客使用要求。
实用新型内容
为此,本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种掩膜版的晾干装置,使得晾干后的掩膜版表面没有化学物质残留。
本实用新型提供了一种掩膜版的晾干装置,包括:设置在该晾干装置上方用于从上往下送风的FFU(Fan Filter Units,风机滤器机组)机组、设置在FFU机组出风口上用于调整风速风向参数的整流罩和设置在该晾干装置内可使掩膜版倾斜摆放在其上的晾版架。
其中,所述晾干架为L形,包括成90度角的底盘和背板,底盘和背板上均设置有用于放置掩膜版的阻滑条,底盘上还装置有导风孔。
所述晾干架还包括可将晾干架悬挂在该晾干装置内壁上的挂件。
所述背板为开口箱形,其开口处用于接收FFU机组的出风,箱形背板的一面设置有导风孔槽和所述用于放置掩膜版的阻滑条。
本实用新型所述掩膜版的晾干装置,通过在FFU机组出风口上设置用于调整风速风向参数的整流罩和在该晾干装置内设置可使掩膜版倾斜摆放在其上的晾干架,使得掩膜版经过这样的晾干装置晾干后掩膜版表面净化度达到顾客使用要求。
附图说明
图1为本实用新型实施例所述掩膜版的晾干装置结构示意图;
图2为图1所示晾干装置内部结构示意图;
图3为图2中A部局部放大图。
具体实施方式
下面,结合附图对本实用新型进行详细描述。
如图1所示,本实施例提供了一种掩膜版的晾干装置,包括:设置在该晾干装置上方用于从上往下送风的FFU(Fan Filter Units,风机滤器机组)机组11、设置在FFU机组11出风口上用于调整风速风向参数的整流罩12和设置在该晾干装置内可使掩膜版20倾斜摆放在其上的晾干架13。
其中,整流罩12,可以根据掩膜版的大小、以及需要晾干的品质需求任意调整风速、风向参数。
如图2所示,晾干架13为L形,包括:成90度角的底盘131和背板132,底盘131和背板132上均设置有用于放置掩膜版20的阻滑条133,底盘131上还装置有导风孔134。
晾干架13可以放置在本实施例所述晾干装置内,也可以悬挂在该晾干装置内壁上,为此,晾干架13还可以进一步包括:可将晾干架悬挂在该晾干装置内壁上的挂件135。
背板132可以是开口箱形,其开口处136处用于接收FFU机组11的出风,箱形背板的一面设置有导风槽137和所述用于放置掩膜版的阻滑条133。
如图1所示,FFU机组11的出风通过整流罩12出风后,一部分直接吹向掩膜版正面,另一部分通过背板132的开口进入到背板中,并通过背板上的导风槽137出来,对掩膜版背面进行吹风。这样的晾干过程,使得掩膜版表面没有化学物质残留。
在实际使用过程中,本实施例所述掩膜版的晾干装置,晾干的掩膜版表面无化学物质残留,比背景技术中所述烘箱耗能低,干燥时间也由原来的15到30分钟缩短到5到15分钟,实用性明显。
综上所述,本实施例所述掩膜版的清洗干燥装置,通过此方案在FFU机组出风口上设置用于调整风速风向参数的整流罩和在该晾干装置内设置可使掩膜版倾斜摆放在其上的晾干架,使得掩膜版通过风吹晾干装置晾干后掩膜版表面净化度达到顾客使用要求。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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