[实用新型]用于测量磁场的磁电阻传感器

权利要求书

1.一种用于测量磁场的磁电阻传感器，其特征在于：它包括：

基片，所述基片具有一“X-Y”表面，所述磁电阻传感器的敏感轴平行于Y轴，其中X轴垂直于Y轴；

至少一个感应臂，所述感应臂由磁电阻元件构成，所述磁电阻元件设置在基片的“X-Y”表面上，所述磁电阻元件沿Y轴方向的长度大于其沿X轴方向的长度；

多个设置在所述磁电阻传感器的基片上的条形永磁体，两两相邻的条形永磁体之间形成间隙磁场，该间隙磁场具有沿X轴和Y轴的分量；

焊盘，所述焊盘设置在感应臂的末端可通过其将感应臂相电连。

2.如权利要求1所述的磁电阻传感器，其特征在于：至少一个所述磁电阻元件被所述的间隙磁场在X轴方向饱和。

3.如权利要求1所述的磁电阻传感器，其特征在于：所述磁电阻传感器的磁电阻阻值随外场变化的响应曲线在所述磁电阻传感器的工作区间内具有高线性度、高斜率值、低磁滞。

4.如权利要求1所述的磁电阻传感器，其特征在于：对条形永磁体充磁以调节该条形永磁体的磁化强度和方向以调节所述磁电阻传感器的输出性能。

5.如权利要求1所述的磁电阻传感器，其特征在于：所述磁电阻元件为MTJ元件或GMR元件。

6.如权利要求1所述的磁电阻传感器，其特征在于：该磁电阻传感器为桥式磁场传感器。

7.如权利要求6所述的磁电阻传感器，其特征在于：所述桥式磁场传感器为推挽全桥磁场传感器。

8.如权利要求7所述的磁电阻传感器，其特征在于：所述推挽全桥磁场传感器包括四个感应臂，在所述磁电阻传感器的工作区间内其中两个感应臂的磁电阻阻值随外场变化的响应曲线相对另外两个感应臂的磁电阻阻值随外场变化的响应曲线在相同的外场作用下具有相反的变化趋势。

9.如权利要求8所述的磁电阻传感器，其特征在于：所述推挽全桥磁场传感器包括两个传感器芯片，每个传感器芯片包括具有“X-Y”表面的基片和设置在基片的表面上的两个感应臂，其中一个传感器芯片为相对另一个传感器芯片旋转180度排布，两个传感器芯片由同一晶圆切割制成。

10.如权利要求9所述的磁电阻传感器，其特征在于：感应臂之间可通过引线连接焊盘实现电连。

11.如权利要求6所述的磁电阻传感器，其特征在于：所述桥式磁场传感器为参考全桥磁场传感器，该参考全桥磁场传感器包括感应臂和参考臂，每个参考臂由磁电阻元件构成。

12.如权利要求11所述的磁电阻传感器，其特征在于：所述的参考全桥磁场传感器包括两个感应臂和两个参考臂，在所述磁电阻传感器的工作区间内感应臂的磁电阻阻值随外场变化的响应曲线的斜率绝对值远大于参考臂的磁电阻阻值随外场变化的响应曲线的斜率绝对值。

13.如权利要求12所述的磁电阻传感器，其特征在于：所述的参考全桥磁场传感器包括一个传感器芯片，该传感器芯片上包括具有“X-Y”表面的基片和设置在基片的表面上的构成感应臂的磁电阻元件和构成参考臂的磁电阻元件。

14.如权利要求13所述的磁电阻传感器，其特征在于：构成所述参考臂的磁电阻元件沿X轴方向的长度大于其沿Y轴方向的长度，在X轴方向的长度大于构成所述感应臂的磁电阻元件在X轴方向的长度。

15.如权利要求13所述的磁电阻传感器，其特征在于：所述构成参考臂的磁电阻元件的表面覆盖有一层高磁导率的铁磁屏蔽层。

16.如权利要求13所述的磁电阻传感器，其特征在于：设置在参考臂附近的条形永磁体在其X轴方向的分量大于设置在传感臂附近的条形永磁体在其X轴方向的分量。

17.如权利要求13所述的磁电阻传感器，其特征在于：构成参考臂或感应臂的磁电阻元件上设置有一层或多层永磁偏置层。

18.如权利要求13所述的磁电阻传感器，其特征在于：构成参考臂的磁电阻元件上设置有一层或多层交换偏置层。

19.如权利要求6所述的磁电阻传感器，其特征在于：所述桥式磁场传感器为推挽半桥磁场传感器，该推挽半桥磁场传感器由两个感应臂构成。