[实用新型]用于可控硅阀组检测的实验站

说明书

技术领域

此实用新型是在电力专业内以动力半导体技术为基础，可以当成可控硅阀组TCR、TSC、异步电机软启动及其它设备的等效电流源和电压源使用，并对其进行实验。 

背景技术

众所周知用于可控硅阀组TCR和TSC的实验检测(Baoliang Sheng, Senior Member, IEEE; Marcio Oliveira, Member, IEEE; Hans-Ola Bjarme, “Synthetic Test Circuits for the Operational Tests of TCR and TSC Thyristor Valves”. - IEEE-PES  T&D Conference, Chicago, Illinois, USA, April 21-22, 2008)，(见图Fig.1和Fig.3)，它包括了用于连接被检测阀组（Vt1₊/Vt1_-）的接地母线和等电位母线；电压振荡回路(Cs, L1 和Va3/Va4)；电流回路(G/Lg, Ls, Va1₊/Va1_-, Arrester и Shunt banks)；冲击回路(Imp. Gen)；直流电压源（DC Source）；第一组电容器C2和其它。 

此实验台在以下情况有很大的不足及缺点。当被检测可控硅阀组Vt1₊/Vt1_-为TCR或TSC型由驱动板驱动可控硅，并且驱动板由可控硅上得到电压，那么它就无法去阀组进行实验。直流电压源（DC Source）必需是高电压（达到80kV）。在对TCR型阀组进行实验时，第一组电容器C2也是在高压状态，充电的可控硅阀组Va2上有双倍电压。在对TSC型阀组进行实验时，电压振荡回路上的第二组电容器Cs上面要有TSC四倍以上的容量，而此时电抗器L1上就必需是冲击时的容量。实验台也无法在过载情况下对TCR进行实验，比如：补偿电抗器一半短路。同样的也无法对单方向形式构成的可控硅阀组进行实验。除此之外，它还缺少最普通的一个功能，即：在正弦曲线特性下进行高电压的实验。 

发明内容

本实用新型提供一种用于可控硅阀组检测的实验站，扩大了实验台的功能，简化了所需要的设备，同时大大提高了可控硅阀组检测实验的安全运行。 

为实现上述目的，本实用新型通过以下技术方案实现： 

用于可控硅阀组检测的实验站，包括：用于连接被检测阀组的接地母线和等电位母线；整流环节；通过第一个和第二个输出端分别与等电位母线和整流环节 输出端连接的电压振荡回路；双极性直流电压源；零极与接地母线相连，正负极分别与整流环节相对应连接的双极性电容器；连接在等电位母线和接地母线之间的电流回路。这里：电压振荡回路包括第一个可控硅阀组，第一个电抗器和第二组电容器，第二组电容器的第一个输出端与串联的第一个电抗器和第一个可控硅阀组相连，这个阀组与电压振荡回路的第一个输出端相连接，并且第二组电容器的第二个输出端与电压振荡回路的第二个输出端相连接。导通由可控硅阀组和电抗器组成的回路，这个回路由第二个电抗器，可控硅阀组和可操作开关串联而成。此回路或者是连接在电压振荡回路中第二组电容器的第一个输出端与接地母线之间，或者是与电压振荡回路中的第一个可控硅阀组并联。所述的可控硅阀组是由正反并联可控硅构成串联在回路中的。 

在专利中所提到的可控硅阀组与电抗器组成的回路，是通过可操作开关并联在电压振荡回路里的，保证在正常工作和事故过载情况下对TCR型阀组进行实验。把可控硅阀组与电抗器组成的回路连接在电压振荡回路第二组电容器的第一个输出端和接地母线之间是为了做下面的实验：对TSC型阀组在工作和事故状态条件下进行驱动板满功率宽范围的实验；在工作和过载状态下阀组的不对称控制实验；任何一个阀组在正弦曲线特性下的高电压实验以及其它。并且在此时冲击回路中的原器件：电源和电容器都是在低压侧。 

附图说明

图1为用于可控硅阀组检测的实验站的电气原理图，本文中的叙述以此原理图为基础。 

图2，图3和图4为申请专利实验站的时序图，即实际工作原理。 

具体实施方式