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[实用新型]动态负载的控制结构-CN201420109136.1有效
发明人： 施多夫·亚利山大;许蓓蓓;赵波;王晓敏;左强 -专利权人：荣信电力电子股份有限公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H02J3/26 文献下载
摘要：一种动态负载的控制结构，特别是用于负载为急速变化不对称非线性的仿真设备，其特征在于，所针对的负载三相角接，每一相上都串联有电抗器及并联连接的正方向晶闸管和负方向晶闸管，同时它包括每一相上连接的扰动给定器和不平衡给定器以及控制模块，每一个控制模块的第一个输入端与不平衡给定器的输出端连接，每一个控制模块的第二个输入端与相对应的扰动给定器的输出端连接，每一个控制模块的同步输入端与相对应的电压互感器的输出端连接，控制模块的第一个和第二个输出端与相对应相上的正方向晶闸管和负方向晶闸管连接进行p-n转换控制。通过该结构可以对SVG、SVC以及其它无功功率补偿装置的控制系统进行研究和实验。
动态负载控制结构

[发明专利]动态负载的控制方法-CN201410088232.7有效
发明人： 施多夫·亚利山大;许蓓蓓;赵波;王晓敏;左强 -专利权人：荣信电力电子股份有限公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H02J3/26 文献下载
摘要：一种动态负载的控制方法，特别是用于负载为急速变化不对称非线性的仿真设备，通过它可以对SVG、SVC以及其它无功功率补偿装置的控制系统进行研究和实验。所述的动态负载为三相角接连接，每一相都串联有电抗器及并联连接的正方向晶闸管和负方向晶闸管，同时每一相都有给定的扰动信号，并且额外还产生不平衡信号；所述晶闸管的导通及关断是通过控制脉冲来实现的，同时给定的正方向信号和负方向信号以合值形式出现，该合值或者与扰动信号和不平衡信号相异，或者与部分不平衡信号相异；每一相按给定的正方向信号和负方向信号计算出晶闸管的导通角度，对所对应的晶闸管进行导通。
动态负载控制方法

[实用新型]控制功率半导体器件阀组的电源装置-CN201320403630.4有效
发明人： 施多夫·亚利山大;许蓓蓓;张晓辉;左强 -专利权人：荣信电力电子股份有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H02M5/458 文献下载
摘要：一种控制功率半导体器件阀组的电源装置，包括电源、电源变压器、电压调节器、电抗器和补偿电容器，所述电源变压器一次绕组的串联回路是以一个或是多个从高压绝缘过来的导线穿过电源变压器磁环形式出现的，电源变压器的二次绕组经过与之对应的电压调节器的控制元器件的输入端相连；电抗器与经过电源变压器一次侧绕组串联回路与电源的输出端相连，补偿电容器直接并联在电源的输出端；所述的电源是以正弦电压曲线的形式出现的。该装置在简化并提高了安全运行的同时，降低了整流损耗以及减小了出现在元器件上干扰，可以用于半导体器件构成的一个高压阀组也可以用于几个高压阀组。
控制功率半导体器件电源装置

[实用新型]控制动力半导体器件构成串联阀组的电源装置-CN201320403593.7有效
发明人： 施多夫·亚利山大;许蓓蓓;张晓辉;左强 -专利权人：荣信电力电子股份有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H02M5/45 文献下载
摘要：控制动力半导体器件构成串联阀组的电源装置，以正弦曲线的电压源形式出现的电源连接在耦合变压器的输出端；电源变压器一次侧绕组的串联回路是以从高压绝缘过来的导线穿过电源变压器的磁环形式出现的；电抗器通过电源变压器一次绕组的串联回路连接在电源的输出端，补偿电容器直接连接在耦合变压器的二次绕组上。从高压绝缘过来的导线芯与动力半导体器件构成的串联阀组回路的中心点相连接，在这种情况下电源的耦合变压器的一次与二次绕组之间的绝缘必需是相对于地的阀组最大电位。阀组元件上的基本绝缘负载由耦合变压器承担。从高压绝缘过来的导线和电源变压器之间电压产生的局部放电水平明显是很小的。
控制动力半导体器件构成串联电源装置

[发明专利]控制动力半导体器件构成串联阀组的电源装置-CN201310284931.4有效
发明人： 施多夫·亚利山大;许蓓蓓;张晓辉;左强 -专利权人：荣信电力电子股份有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H02M5/45 文献下载
摘要：控制动力半导体器件构成串联阀组的电源装置，以正弦曲线的电压源形式出现的电源连接在耦合变压器的输出端；电源变压器一次侧绕组的串联回路是以从高压绝缘过来的导线穿过电源变压器的磁环形式出现的；电抗器通过电源变压器一次绕组的串联回路连接在电源的输出端，补偿电容器直接连接在耦合变压器的二次绕组上。从高压绝缘过来的导线芯与动力半导体器件构成的串联阀组回路的中心点相连接，在这种情况下电源的耦合变压器的一次与二次绕组之间的绝缘必需是相对于地的阀组最大电位。阀组元件上的基本绝缘负载由耦合变压器承担。从高压绝缘过来的导线和电源变压器之间电压产生的局部放电水平明显是很小的。
控制动力半导体器件构成串联电源装置

[发明专利]控制功率半导体器件阀组的电源装置-CN201310284624.6有效
发明人： 施多夫·亚利山大;许蓓蓓;张晓辉;左强 -专利权人：荣信电力电子股份有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H02M5/458 文献下载
摘要：一种控制功率半导体器件阀组的电源装置，包括电源、电源变压器、电压调节器、电抗器和补偿电容器，所述电源变压器一次绕组的串联回路是以一个或是多个从高压绝缘过来的导线穿过电源变压器磁环形式出现的，电源变压器的二次绕组经过与之对应的电压调节器的控制元器件的输入端相连；电抗器与经过电源变压器一次侧绕组串联回路与电源的输出端相连，补偿电容器直接并联在电源的输出端；所述的电源是以正弦电压曲线的形式出现的。该装置在简化并提高了安全运行的同时，降低了整流损耗以及减小了出现在元器件上干扰，可以用于半导体器件构成的一个高压阀组也可以用于几个高压阀组。
控制功率半导体器件电源装置

[实用新型]用于可控硅阀组检测的实验站-CN201220031170.2有效
发明人： 施多夫·亚利山大;许蓓蓓;张晓辉;司明起 -专利权人：荣信电力电子股份有限公司
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：一种用于可控硅阀组检测的实验站，该全能实验站以动力半导体技术为基础，可以当成可控硅阀组的等效电流源和电压源使用，并对可控硅阀组进行检测。实验站包括整流环节；双极性直流电压源；双极性电容器；电压振荡回路包括串联的第二组电容器、第一个电抗器，连接在等电位母线与整流环节输出端的第一个可控硅阀组；连接在等电位母线和接地母线之间的电流回路，它可以导入可控硅电抗器回路，并且在回路中有可操作可关，通过可操作开关可以把可控硅电抗回路连接在电压振荡回路里的第二组电容器的第一个输出端和接地母线之间，或者与电压振荡回路中的第一个可控硅阀组并联，它的目的是保证实验台对不对称可控硅阀组和对称可控硅阀组进行检测。
用于可控硅检测实验站

[实用新型]用于可控硅阀组检测的实验站-CN201220027355.6有效
发明人： 施多夫·亚利山大;许蓓蓓;张晓辉;司明起 -专利权人：荣信电力电子股份有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：用于可控硅阀组检测的实验站，全能实验站是以对可控硅阀组进行实验为目的而发明的。以动力半导体技术为基础，可以当成正反并联可控硅阀组的等效电流源和电压源使用，并对阀组进行实验。实验站的主要连接为：被检测可控硅阀组与等电位母线和接地母线连接，电压振荡回路连接在等电位母线上，电流回路连接在等电位母线和接地母线之间，由交流电压源，限流电抗器和主要可控硅阀组以及辅助可控硅阀组构成。辅助可控硅阀组是并联有带有串联变压器二次绕组和限流电抗器的回路，这个回路是保证给由驱动板给可控硅提供电压的阀组进行实验时电压振荡回路的启动和主要可控硅阀组的安全保护。实验站可对单方向不对称可控硅阀组和双方向对称可控硅阀组进行实验。
用于可控硅检测实验站

[实用新型]用于可控硅阀组检测的实验站-CN201220027352.2有效
发明人： 施多夫·亚利山大;许蓓蓓;张晓辉;司明起 -专利权人：荣信电力电子股份有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：一种用于可控硅阀组检测的实验站，该实验站以动力半导体技术为基础，可以当成正反并联可控硅阀组的等效电流源和电压源使用，并对阀组进行实验。本实用新型的特征在于，该试验台设有整流环节；直流电压源和第一组电容器都是双方向极性的，并且直流电压源和第一组电容器的零点均连接在接地母线上；被测可控硅阀组与等电位母线及接地母线系统连接，电压振荡回路的第一个输出端与等电位母线连接，第二个输出端与整流环节连接。被检测可控硅阀组在第二组充电电容器以及电压振荡回路的共同作用下，通过整流环节由直流电压源同时得到的对称正负两极性来得到平均电压值。此全能实验站简化了复杂的设备，提高了安全运行并且大大增强了它的负载特性。
用于可控硅检测实验站

[发明专利]用于可控硅阀组检测的实验站-CN201210018832.7有效
发明人： 施多夫·亚利山大;许蓓蓓;张晓辉;司明起 -专利权人：荣信电力电子股份有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：用于可控硅阀组检测的实验站，全能实验站是以对可控硅阀组进行实验为目的而发明的。以动力半导体技术为基础，可以当成正反并联可控硅阀组的等效电流源和电压源使用，并对阀组进行实验。实验站的主要连接为：被检测可控硅阀组与等电位母线和接地母线连接，电压振荡回路连接在等电位母线上，电流回路连接在等电位母线和接地母线之间，由交流电压源，限流电抗器和主要可控硅阀组以及辅助可控硅阀组构成。辅助可控硅阀组是并联有带有串联变压器二次绕组和限流电抗器的回路，这个回路是保证给由驱动板给可控硅提供电压的阀组进行实验时电压振荡回路的启动和主要可控硅阀组的安全保护。实验站可对单方向不对称可控硅阀组和双方向对称可控硅阀组进行实验。
用于可控硅检测实验站

[发明专利]用于可控硅阀组检测的实验站-CN201210019044.X有效
发明人： 施多夫·亚利山大;许蓓蓓;张晓辉;司明起 -专利权人：荣信电力电子股份有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：一种用于可控硅阀组检测的实验站，该实验站以动力半导体技术为基础，可以当成正反并联可控硅阀组的等效电流源和电压源使用，并对阀组进行实验。本发明的特征在于，该试验台设有整流环节；直流电压源和第一组电容器都是双方向极性的，并且直流电压源和第一组电容器的零点均连接在接地母线上；被测可控硅阀组与等电位母线及接地母线系统连接，电压振荡回路的第一个输出端与等电位母线连接，第二个输出端与整流环节连接。被检测可控硅阀组在第二组充电电容器以及电压振荡回路的共同作用下，通过整流环节由直流电压源同时得到的对称正负两极性来得到平均电压值。此全能实验站简化了复杂的设备，提高了安全运行并且大大增强了它的负载特性。
用于可控硅检测实验站

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