[实用新型]阵列基板及包括该阵列基板的显示装置有效
| 申请号: | 201220013681.1 | 申请日: | 2012-01-12 |
| 公开(公告)号: | CN202404339U | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
| 发明(设计)人: | 宋泳锡;刘圣烈;崔承镇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 包括 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括限定了像素区域的栅线和数据线,所述像素区域包括薄膜晶体管区域以及像素电极图形区域,所述薄膜晶体管区域中形成有栅极、源极、漏极、栅绝缘层、有源层以及钝化层,且在所述源极和漏极之间形成有沟道部,所述沟道部凹陷至所述有源层内部;所述像素电极图形区域中形成所述栅绝缘层、像素电极、所述钝化层以及公共电极,其中,所述公共电极和像素电极构成了多维电场;
其特征在于,在所述钝化层与所述公共电极之间形成有彩色树脂层。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极形成于所述有源层表面除沟道部以外的部位上,并延伸覆盖所述像素电极图形区域中的所述栅极绝缘层;
在所述薄膜晶体管区域内,所述漏极及源极形成于所述像素电极上。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述彩色树脂层采用的材料为介电常数为3~5F/m且厚度为0.5μm~2μm的材料。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极和公共电极采用的材料为透明导电的金属材料。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述薄膜晶体管区域内,所述源极及漏极形成于有源层上;
在所述像素电极图形区域与薄膜晶体管区域相结合的部位处,所述像素电极的一端搭接于所述源极的一端上。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管区域内,所述钝化层上形成有黑矩阵层。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述黑矩阵层为不透明树脂层,其所采用的材料为面电阻大于1012Ω/sq、厚度为0.5μm~2μm且光密度为4以上的材料。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至7任一项所述的阵列基板。
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