[发明专利]利用环境条件控制的能量协助磁记录头及其系统有效
| 申请号: | 201210592667.6 | 申请日: | 2012-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN103187071B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
| 发明(设计)人: | 威廉·D·琼斯;大卫·L·惠特克;田河育也;城石芳博 | 申请(专利权)人: | HGST荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G11B5/127 | 分类号: | G11B5/127 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
| 地址: | 荷兰,阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 利用 环境 条件 控制 能量 协助 记录 及其 系统 | ||
1.一种磁记录系统,包括:
磁介质;
磁头,所述磁头包括:
写入元件,所述写入元件被配置成在所述磁介质上记录数据;
微波协助磁记录MAMR元件,所述MAMR元件被配置成协助在所述磁介质上记录,所述MAMR元件包括微波生成部,所述微波生成部接收用于其操作的电流;和
读取元件,所述读取元件被配置成从所述磁介质读取数据;
第一装置,所述第一装置被配置成测量与所述MAMR元件和所述磁介质相关的环境条件,所述环境条件至少包括:温度、所述读取元件的再生信号以及所述MAMR元件和所述磁介质之间的间隙;和
控制器,所述控制器被配置成基于所述第一装置提供的所述环境条件来控制所述磁头的操作和调整所述系统的操作参数,并且所述控制器还被配置成,较之对处于相对较高操作温度的MAMR元件提供的电流的量,增加对处于较低操作温度的MAMR元件提供的电流的量。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述控制器包括:
被配置成调整所述MAMR元件和所述磁介质之间间隙的逻辑部分;
读取/写入集成电路;和
信号处理通道集成电路。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述控制器还被配置成基于所述环境条件来控制所述微波生成部的注入电流。
4.根据权利要求1所述的系统,其中所述控制器还被配置成基于所述环境条件来控制所述微波生成部的位置,以调整所述微波生成部和所述磁介质之间的间隙。
5.根据权利要求1所述的系统,其中,较之提供给处于较高操作温度的所述微波生成部的电流,所述控制器增加向处于较低操作温度的所述MAMR元件的微波生成部提供的电流。
6.根据权利要求5所述的系统,其中所述较低操作温度是小于约20℃的任何温度。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一装置被配置成测量所述系统的重写性能。
8.一种磁记录系统,包括:
第一装置,所述第一装置被配置成测量与磁头的微波协助磁记录MAMR元件和磁介质相关的环境条件,其中所述MAMR元件被配置成协助使用所述磁头的写入元件在所述磁介质上记录,并且其中所述MAMR元件包括微波生成部,所述微波生成部接收用于其操作的电流;和
第二装置,所述第二装置被配置成基于所述第一装置提供的所述环境条件来控制所述磁头的操作并且调整所述磁头的操作参数,并且所述第二装置还被配置成通过向热飞高控制TFC元件提供电流以调整所述微波生成部和所述磁介质之间的间隙,并且基于由所述第一装置测量的所述环境条件至少同时地控制写入电流、向所述MAMR元件提供的电流和向所述TFC元件提供的电流。
9.根据权利要求8所述的系统,其中所述第二装置包括:
读取/写入集成电路;和
信号处理通道集成电路。
10.根据权利要求8所述的系统,其中所述第二装置还被配置成基于所述环境条件来控制所述微波生成部的注入电流。
11.根据权利要求8所述的系统,其中所述第二装置还被配置成基于所述环境条件控制所述微波生成部的位置,以调整所述微波生成部和所述磁介质之间的间隙。
12.根据权利要求8所述的系统,其中由所述第一装置测量的所述环境条件包括温度。
13.根据权利要求8所述的系统,其中,较之提供给处于较高操作温度的所述微波生成部的电流,所述第二装置增加向处于较低操作温度的所述微波生成部提供的电流。
14.根据权利要求13所述的系统,其中所述较低操作温度是小于约20℃的任何温度。
15.根据权利要求8所述的系统,其中所述第一装置还被配置成测量读取元件的再生信号,所述再生信号包括所述系统的重写性能。
16.根据权利要求8所述的系统,其中所述第一装置还被配置成测量所述微波生成部和所述磁介质之间的间隙。
17.根据权利要求8所述的系统,其中所述环境条件至少包括:温度、读取元件的再生信号以及所述MAMR元件和所述磁介质之间的间隙。
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