[发明专利]一种带状氧化银纳米阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201210590905.X | 申请日： | 2012-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103058260A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 张小俊;季蓉;汪玲玲;于刘涛;马文勤;南红红 | 申请（专利权）人： | 安徽师范大学 |
| 主分类号： | C01G5/00 | 分类号： | C01G5/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 方南 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 带状 氧化银 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种带状氧化银纳米阵列的制备方法，包括以下步骤：a、铜棒的清洗处理工序、 b、带状氧化银纳米阵列制备工序，
其特征在于：所述的b、带状氧化银纳米阵列制备工序为
在室温下将处理好的铜棒放入容器中，滴入一价银盐，再滴入碱溶液，将容器密闭，在常温下反应8-12小时，用蒸馏水冲洗生长有黑色物质的铜棒，室温干燥，即可，所述的一价银盐的浓度为0.005-0.01M，所述的碱液的浓度为0.1-0.2M，一价银盐与碱液的摩尔比为1:(10-40)。
2.根据权利要求1所述的一种带状氧化银纳米阵列的制备方法，其特征在于：所述碱溶液为0.1 M的氢氧化钠溶液。
3.根据权利要求1所述的一种带状氧化银纳米阵列的制备方法，其特征在于：所述的一价银盐为0.01M 的AgNO3溶液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽师范大学，未经安徽师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210590905.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有防尘功能的百叶窗
- 下一篇：阳离子型刷形嵌段共聚物、其制备方法及应用
