[发明专利]焦平面探测器铟柱的光刻方法及装置

权利要求书

1.一种焦平面探测器铟柱的光刻方法，其特征在于，包括：

在金属化处理后的探测器芯片上涂覆光刻胶；

将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行烘烤；

将烘烤完的所述探测器芯片进行离焦光刻，得到显影后呈倒梯形的厚胶图形；

将离焦光刻后的探测器芯片进行低温烘烤。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述探测器芯片涂覆光刻胶的厚度为12~18微米。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行烘烤的步骤具体包括：

涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行整体烘烤，所述整体烘烤的温度为50~70度，整体烘烤时间为0.5~1小时；

然后再进行表面烘烤，所述表面烘烤的温度为90~110度，表面烘烤时间为1~3分钟。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述离焦光刻具体包括：将离焦光刻的焦距调整到所述探测器芯片与光刻胶接触的表面，然后进行离焦光刻，离焦光刻的离焦量为-0.011~0.015毫米。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述低温烘烤的温度为50~80度，时间为1~3小时。

6.一种焦平面探测器铟柱的光刻装置，其特征在于，包括：

涂覆器，用于在金属化处理后的探测器芯片上涂覆光刻胶；

烘烤箱，用于将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行烘烤，并将离焦光刻后的探测器芯片进行低温烘烤；

光刻机，用于将所述烘烤箱烘烤完的所述探测器芯片进行离焦光刻，得到显影后呈倒梯形的厚胶图形。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述探测器芯片涂覆光刻胶的厚度为12~18微米。

8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，

所述烘烤箱具体用于，将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行整体烘烤，所述整体烘烤的温度为50~70度，整体烘烤时间为0.5~1小时；

还包括热板，所述热板，用于将整体烘烤后的探测器芯片进行表面烘烤，所述表面烘烤的温度为90~110度，表面烘烤时间为1~3分钟。

9.根据权利要求6-8任意一项所述的装置，其特征在于，

所述光刻机具体用于，将离焦光刻的焦距调整到所述探测器芯片与光刻胶接触的表面，然后进行离焦光刻，离焦光刻离焦量为-0.011~0.015毫米，得到显影后呈倒梯形的厚胶图形。

10.根据权利要求6-8任意一项所述的装置，其特征在于，

所述烘烤箱还用于，对所述光刻机离焦光刻后的所述探测器芯片进行低温烘烤，所述低温烘烤的温度为50~80度，时间为1~3小时。