[发明专利]像素电路、显示装置及其驱动方法有效
申请号: | 201210587996.1 | 申请日: | 2012-12-31 |
公开(公告)号: | CN103021339A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 朱晖;邱勇;黄秀颀;高孝裕;胡思明;韩珍珍 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 程殿军 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电路 显示装置 及其 驱动 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种像素电路、显示装置及其驱动方法,尤其涉及一种能够补偿驱动晶体管阈值电压的有机发光二极管的像素电路、显示装置及其驱动方法。
背景技术
近年来,已经开发出相比阴极射线管(CRT)来说重量轻且体积小的各种类型的平板显示装置。在各种类型的平板显示装置中,由于具有TFT(薄膜晶体管)背板的有源矩阵有机发光显示装置使用自发光的有机发光二极管(OELD)来显示图像,通常具有响应时间短,使用低功耗进行驱动,相对更好的亮度和颜色纯度的特性,所以有机发光显示装置已经成为下一代显示装置的焦点。
图1示意性示出了传统的有源矩阵有机发光显示装置100的电路图。其中,有源矩阵有机发光显示装置100包括数据驱动器和扫描驱动器(图中未示出),数据驱动器用于控制横向排列的多条数据线DA1…DAm,扫描驱动器用于控制纵向排列的多条扫描线SC1…SCn,其中多条数据线DA1…DAm和扫描线SC1…SCn的交叉区域形成多个像素电路110。
参见图1,像素电路110包括有机发光二极管OLED1、存储电容C11、开关晶体管T11和驱动晶体管T12、第一电源ELVDD1和第二电源ELVSS1。其中,晶体管T11和T12均为PMOS晶体管(P沟通金属氧化物半导体晶体管)。其中,开关晶体管T11的栅极连接至其中一条扫描线SC1,其源极连接至其中一条数据线DA1,其漏极连接至第二晶体管T12的栅极;驱动晶体管T12的漏极连接至高电压电源ELVDD1,其源极连接至发光二级管OLED1的阳极;发光二极管OLED1的阴极连接至低电压电源ELVSS1;存储电容C11的第一端子连接至第一电源ELVSS1,第二端子连接至第二晶体管T12的栅极。
扫描驱动器依次序施加扫描信号至扫描线SC1到SCn,数据驱动器根据待显示的图像数据,经数据线DA1到DAm施加对应的数据信号。从而,位于其交叉区域内的像素电路100根据与其连接的扫描线和数据线的信号提供流过有机发光二级管的驱动电流。
如图1所示的像素电路110为例,当扫描驱动器施加扫描信号到扫描线SC1时,开关晶体管T11导通,且此时数据线DA1上的数据信号的电压通过开关晶体管T11被存储到存储电容C11中。驱动晶体管T12根据存储电容C11所存储的电压提供驱动电流IOLED1来驱动有机发光二级管OLED1发出对应亮度的光。其中,驱动电流的公式如下所示:
IOLED1= 1/2μ12×Cox12×W12/L12 (VGS12-VTH12 ) 2(式1)
其中,μ12为驱动晶体管T12的载流子迁移率,Cox12驱动晶体管T12的为单位面积控制端氧化层的电容,W12为驱动晶体管T12的沟道宽度,L12为驱动晶体管T12的沟道长度,VGS12为驱动晶体管T12栅极和源极之间的电压差,VTH12为驱动晶体管T12的阈值电压。也就是说,根据来自数据线DA1上的数据电压的大小,可以控制流过有机发光二极管OLED1的驱动电流以显示预定的灰度级。
对于大型有源矩阵有机发光显示装置,由于其包括很多个像素电路,且每个像素电路都需要包含驱动晶体管,而不同的驱动晶体管之间的电气差异造成其上的阈值电压不同。因此根据上述公式1可知,当提供给像素电路110的数据电压相同时,被提供给有机发光二极管处的驱动电流因驱动晶体管的阈值电压的不同也会有所不同。这样,会造成多个像素电路显示的图像的质量均匀性和一致性较差的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种新型的像素电路结构,可以补偿驱动晶体管阈值电压的差异。本发明提供了一种能够产生期望亮度的像素电路和使用所述像素电路的有源矩阵有机发光显示装置,所述像素电路能够改善有源矩阵有机发光二极管的响应特性,显示具有均匀图像质量的图像。
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
本发明提供了一种像素电路,包括第一电源、第二电源、有机发光二级管、第一电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管,其中,
所述有机发光二极管的阴极与所述第二电源相结合;
所述第一电容结合在一节点和所述第二电源之间;
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