[发明专利]非晶硅栅极驱动器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术领域，特别涉及一种非晶硅栅极驱动器。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（thin-film transistor liquid crystal display，TFT-LCD）是一种平面显示装置，其主要包括阵列基板、彩膜基板及夹持于阵列基板、彩膜基板之间的液晶层。现有的薄膜晶体管液晶显示器工作时，其阵列基板上的栅极线及数据线均需要驱动电路进行驱动才能工作。

为了降低薄膜晶体管液晶显示器的制造成本，同时提高薄膜晶体管液晶显示器的有效显示面积，现有技术中，比较通用的一种做法是采用非晶硅栅极驱动器。所述非晶硅栅极驱动器常采用形成阵列基板上的开关元件相同的工艺，并直接形成于阵列基板上。

通常的，非晶硅栅极驱动器包括多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括栅极、位于所述栅极之上的非晶硅层及位于所述非晶硅层之上的源极和漏极，多个薄膜晶体管通过与源极一体形成的源极连接线或者与漏极一体形成漏极连接线予以连接。

现有形成非晶硅栅极驱动器的一种工艺为单狭缝透光罩（single slit mask）工艺，此工艺属于一种半灰阶掩膜版（GTM）技术。由于该工艺的特性，在第二金属层下方（也即源极、漏极、源极连接线及漏极连接线的下方）必然存在非晶硅层残留，此部分残留的非晶硅层容易导致光生漏电流。而对于此种工艺形成的非晶硅栅极驱动器而言，距离源极和漏极之间的沟道较近的光生漏电流将导致源漏极之间的漏电流大大增加，从而产生非晶硅栅极驱动器失效的情况。

具体的，请参考图1，其为现有的非晶硅栅极驱动器的部分结构示意图。如图1所示，所述非晶硅栅极驱动器1包括多个薄膜晶体管10，在此，示出了两个薄膜晶体管10，分别为薄膜晶体管10a及薄膜晶体管10b，薄膜晶体管10a及薄膜晶体管10b通过与源极11一体形成的源极连接线12连接。在此，源极11、源极连接线12的下方均残留有非晶硅层13，而在源极连接线12的下方所残留的非晶硅层13由于没有栅极（金属）14的遮蔽而容易产生光生漏电流，特别的，源极11及源极连接线12交界处A所产生的光生漏电流由于与源极11和漏极15间沟道16的距离非常近，从而将导致沟道16导通（在此，所述沟道16也形成于非晶硅层上，从而交界处A下残留有的非晶硅层13中的光生漏电流将直接传递至沟道16中）、源极11和漏极15之间漏电流大大增加、非晶硅栅极驱动器1极易失效。

进一步的，请参考图2，其为图1所示的非晶硅栅极驱动器BB’处的剖面示意图。如图2所示，在源极11及源极连接线12交界处A下的非晶硅层13中所产生的光生漏电流将由于与源极11及漏极之间的沟道距离非常近，而将光生漏电流传递至沟道中。在此，源极连接线12下方其余残留的非晶硅层13（即除了交界处A之外）中，也将产生光生漏电流，但是，由于该部分的光生漏电流离沟道距离较远，因此对于沟道的影响非常微弱，也就是说此部分光生漏电流将不会导致沟道导通。

综上可知，现有技术中面临着这样一个问题，源极及源极连接线交界处下残留有的非晶硅层将导致源极和漏极之间漏电流大大增加、非晶硅栅极驱动器极易失效。此外，由于源极和漏极是相对使用的结构，因此漏极及漏极接线交界处在同样使用时，也将面临相同的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种非晶硅栅极驱动器，用以解决现有技术中的非晶硅栅极驱动器源极和漏极之间漏电流大、非晶硅栅极驱动器极易失效的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种非晶硅栅极驱动器，所述非晶硅栅极驱动器形成于阵列基板上，所述非晶硅栅极驱动器包括：多个薄膜晶体管；每个所述薄膜晶体管均包括栅极、位于所述栅极之上的非晶硅层及位于所述非晶硅层之上的源极和漏极，所述源极和漏极在所述阵列基板上的正投影均位于所述栅极在所述阵列基板上的正投影内；每个所述薄膜晶体管还包括：

源极连接线，所述源极连接线与所述源极电性连接，所述源极连接线与所述源极位于不同的膜层；

和/或漏极连接线，所述漏极连接线与所述漏极电性连接，所述漏极连接线与所述漏极位于不同的膜层；

其中，每个薄膜晶体管均通过所述源极连接线和/或漏极连接线实现与其余的一个或者多个薄膜晶体管电性连接。

可选的，在所述的非晶硅栅极驱动器中，所述薄膜晶体管的源极和漏极之间形成有沟道。

可选的，在所述的非晶硅栅极驱动器中，所述源极连接线通过接触孔与所述源极电性连接，所述漏极连接线通过接触孔与所述漏极电性连接。

可选的，在所述的非晶硅栅极驱动器中，所述薄膜晶体管采用单狭缝透光罩工艺形成。