[发明专利]非晶硅栅极驱动器有效

申请号：	201210587910.5	申请日：	2012-12-28
公开（公告）号：	CN103295543A	公开（公告）日：	2013-09-11
发明（设计）人：	曹兆铿;陶承锋	申请（专利权）人：	上海中航光电子有限公司
主分类号：	G09G3/36	分类号：	G09G3/36;H01L29/417;H01L23/50;H01L27/088
代理公司：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237	代理人：	郑玮
地址：	201108 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	非晶硅栅极驱动器
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【权利要求书】：

1.一种非晶硅栅极驱动器，所述非晶硅栅极驱动器形成于阵列基板上，所述非晶硅栅极驱动器包括：多个薄膜晶体管；每个所述薄膜晶体管均包括栅极、位于所述栅极之上的非晶硅层及位于所述非晶硅层之上的源极和漏极，所述源极和漏极在所述阵列基板上的正投影均位于所述栅极在所述阵列基板上的正投影内；其特征在于，每个所述薄膜晶体管还包括：

源极连接线，所述源极连接线与所述源极电性连接，所述源极连接线与所述源极位于不同的膜层；

和/或漏极连接线，所述漏极连接线与所述漏极电性连接，所述漏极连接线与所述漏极位于不同的膜层；

其中，每个薄膜晶体管均通过所述源极连接线和/或漏极连接线实现与其余的一个或者多个薄膜晶体管电性连接。

2.如权利要求1所述的非晶硅栅极驱动器，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极和漏极之间形成有沟道。

3.如权利要求1所述的非晶硅栅极驱动器，其特征在于，所述源极连接线通过接触孔与所述源极电性连接，所述漏极连接线通过接触孔与所述漏极电性连接。

4.如权利要求1所述的非晶硅栅极驱动器，其特征在于，所述薄膜晶体管采用单狭缝透光罩工艺形成。

5.如权利要求1所述的非晶硅栅极驱动器，其特征在于，所述源极连接线及漏极连接线均位于透明导电层。

6.如权利要求1所述的非晶硅栅极驱动器，其特征在于，还包括信号总线，一个或者多个所述薄膜晶体管通过所述源极连接线和/或漏极连接线实现与所述信号总线电性连接。

7.如权利要求6所述的非晶硅栅极驱动器，其特征在于，所述信号总线位于第二金属层。

8.如权利要求6所述的非晶硅栅极驱动器，其特征在于，所述信号总线位于第一金属层。

9.如权利要求8所述的非晶硅栅极驱动器，其特征在于，每个所述薄膜晶体管还包括栅极线，所述栅极线与所述栅极通过栅极连接线电性连接。

10.如权利要求9所述的非晶硅栅极驱动器，其特征在于，所述栅极连接线位于第二金属层。