[发明专利]两亲嵌段共聚物改性聚偏氟乙烯中空纤维膜的制备方法有效
申请号: | 201210587770.1 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103055711A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 何春菊;李松涛 | 申请(专利权)人: | 东华大学 |
主分类号: | B01D69/08 | 分类号: | B01D69/08;B01D71/34;B01D67/00;C08F299/08;C08F126/10;C08F2/38;C08F8/32 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若莹;王婧 |
地址: | 201620 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 两亲嵌段 共聚物 改性 聚偏氟 乙烯 中空 纤维 制备 方法 | ||
1.一种两亲嵌段共聚物改性聚偏氟乙烯中空纤维膜的制备方法,其特征在于,具体步骤为:将聚偏氟乙烯、复合稀释剂以及两亲性嵌段共聚物共混配制铸膜液;将铸膜液经过喷丝头挤出形成初生中空纤维,将所形成的初生中空纤维进入凝固浴中凝固再生,将得到的中空纤维膜放入萃取剂中萃取出稀释剂,再置于纯水中浸泡清洗,并用保孔剂处理,得到两亲嵌段共聚物改性聚偏氟乙烯中空纤维膜成品。
2.如权利要求1所述的两亲嵌段共聚物改性聚偏氟乙烯中空纤维膜的制备方法,其特征在于,所述的两亲性嵌段共聚物的制备方法为:采用可逆加成-断裂链转移法制备聚乙烯吡咯烷酮均聚物;将聚乙烯吡咯烷酮均聚物改性得到改性聚乙烯基吡咯烷酮均聚物,将改性聚乙烯基吡咯烷酮均聚物与含不饱和端基的聚硅氧烷反应,生成含有聚乙烯基吡咯烷酮链段和聚二甲基甲烷硅氧烷链段的两亲性嵌段共聚物。
3.如权利要求2所述的两亲嵌段共聚物改性聚偏氟乙烯中空纤维膜的制备方法,其特征在于,所述的聚乙烯基吡咯烷酮均聚物的制备方法为:将N-乙烯基吡咯烷酮溶解在溶剂中,制成浓度为2-60%的N-乙烯基吡咯烷酮溶液,再投入0.1-10%的RAFT试剂、0.5-15%的引发剂,在惰性气氛保护下,在40-150℃下反应,时间为4-72小时。
4.如权利要求2所述的两亲嵌段共聚物改性聚偏氟乙烯中空纤维膜的制备方法,其特征在于,所述的聚乙烯基吡咯烷酮均聚物的改性方法为:将聚乙烯基吡咯烷酮均聚物溶于溶剂中,配成浓度为5-50%的溶液,加入与聚乙烯基吡咯烷酮均聚物摩尔比为1:8~5:1的缩聚剂,再加入与聚乙烯基吡咯烷酮均聚物摩尔比为10:1-50:1的不饱和胺,0-120℃反应1-72小时,经分离处理后得到改性聚乙烯基吡咯烷酮均聚物。
5.如权利要求2所述的两亲嵌段共聚物改性聚偏氟乙烯中空纤维膜的制备方法,其特征在于,所述的将改性聚乙烯基吡咯烷酮均聚物与含不饱和端基的聚硅氧烷反应的具体步骤为:将30-60%改性聚乙烯基吡咯烷酮均聚物与40-70%硅氧烷聚合物溶于溶剂中,配成改性聚乙烯基吡咯烷酮均聚物的浓度为5-50%的混合溶液,再加入1-3%硅氧烷,在30-500ppm Karstedt催化剂的作用下,反应2-48小时,温度为30-150℃,得到含有聚乙烯基吡咯烷酮链段和聚二甲基甲烷硅氧烷链段的两亲性嵌段共聚物。
6.如权利要求1所述的两亲嵌段共聚物改性聚偏氟乙烯中空纤维膜的制备方法,其特征在于,所述的复合稀释剂由第一稀释剂和第二稀释剂组成;所述的第一稀释剂为丙烯酸碳酸酯、1,4-丁内酯、三醋酸甘油脂和邻苯二甲酸酯中的一种或两种以上的混合物;所述的第二稀释剂为二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、丙酮、N-甲基吡咯烷酮、磷酸三乙酯和磷酸三甲酯中的一种或两种以上的混合物;第一稀释剂和第二稀释剂的配比为9/1~1/9。
7.如权利要求1所述的两亲嵌段共聚物改性聚偏氟乙烯中空纤维膜的制备方法,其特征在于,所述的铸膜液的配制方法为:以铸膜液总量的质量百分比计,将聚偏氟乙烯12%~50%、复合稀释剂48~87.5%和两亲性嵌段共聚物0.5%~2%放入共混装置中,在温度为70~220℃、搅拌速度为80~120r/min的条件下搅拌加热共混,共混时间为1~6小时,然后真空脱泡0~4小时,得到均一透明的铸膜液。
8.如权利要求7所述的两亲嵌段共聚物改性聚偏氟乙烯中空纤维膜的制备方法,其特征在于,所述的聚偏氟乙烯为粉料,特性粘度η值为1.58~2.40。
9.如权利要求1所述的两亲嵌段共聚物改性聚偏氟乙烯中空纤维膜的制备方法,其特征在于,所述的喷丝头由两个同心管组成,喷丝头连接计量泵,计量泵连接纺丝釜,铸膜液置于纺丝釜中,在计量泵以5~10r/min的转速、0.3~0.6MPa的纺丝压力下,从喷丝头挤出形成初生中空纤维。
10.如权利要求1所述的两亲嵌段共聚物改性聚偏氟乙烯中空纤维膜的制备方法,其特征在于,所述的初生中空纤维经过0~200mm的干纺程后进入凝固浴中凝固再生,所述的凝固浴为水浴或萃取剂浴,凝固浴的温度为0~30℃。
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