[发明专利]液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201210585763.8 申请日: 2012-12-20
公开(公告)号: CN103176314A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 长三幸弘 申请(专利权)人: 株式会社日本显示器东
主分类号: G02F1/1339 分类号: G02F1/1339
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;马立荣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 液晶 显示装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及液晶显示装置,尤其涉及对由于取向膜的剥落碎片而引起的亮点实施了对策的液晶显示装置。

背景技术

在液晶显示装置中设有:像素电极及薄膜晶体管(TFT)等呈矩阵状地形成的TFT基板;以及与TFT基板相对、并在与TFT基板的像素电极相对应的部位形成有滤色器等的对置基板,在TFT基板和对置基板之间夹持有液晶。并且通过按像素控制基于液晶分子的透光率而形成图像。

在液晶显示装置中,在对置基板和TFT基板中的与液晶层的界面形成取向膜,并通过对取向膜实施摩擦处理或光取向处理而使液晶分子具有初始取向。然后,借助电场使液晶分子从该初始取向扭转、或者旋转,由此控制透过液晶层的光的量。

另一方面,为了控制液晶层的厚度,需要在对置基板和TFT基板之间形成间隔件。以往,作为间隔件而在液晶层内分散有珠子等,但近年来,为了TFT基板和对置基板之间的更准确的间隙(液晶层)的控制,在对置基板上形成柱状间隔件,借助柱状间隔件来进行TFT基板和对置基板的间隙的控制。

另一方面,由于使用柱状间隔件也会产生新的问题。即,在从外部按压对置基板,或向液晶显示面板施加温度循环的情况下,存在于柱状间隔件和TFT基板侧之间的取向膜剥落,该剥落碎片成为亮点的原因。

在“专利文献1”中记载有如下结构:在TFT基板侧形成小于柱状间隔件的顶端面积的台座,减薄台座上的取向膜的厚度,由此减少由于柱状间隔件引起的取向膜的剥落。在“专利文献1”中特别记载了在使用基于所谓光取向的取向膜的情况下,减小台座上的取向膜的厚度的材料及工艺。

在“专利文献2”中记载有如下结构:在对置基板上形成具有槽的柱状间隔件,在一个柱状间隔件上形成高度较高的部分和高度较低的部分。通常,高度较高的部分规定TFT基板和对置基板的间隔,在从外部按压对置基板等的情况下,高度较高的部分发生弹性变形,高度较低的部分也与TFT基板接触,由此使应力分散,防止柱状间隔件的压弯,并且加快按压解除后的恢复。

在“专利文献3”中记载有如下结构:将球状的间隔件固定在对置基板上,在TFT基板侧在与球状间隔件接触的部分形成凹部,增大对置基板和TFT基板结合时的容限,并且防止由于重叠错位而引起的露光。

专利文献1:日本特开2009-182262号公报

专利文献2:日本特开2002-182220号公报

专利文献3:日本特开2007-178652号公报

发明内容

在液晶显示装置中存在视场角特性的问题。视场角特性是指在从正面观察画面时和从斜方向观察画面时,亮度发生变化,或色度发生变化的现象。对于视场角特性,借助水平方向的电场使液晶分子动作的IPS(In Plane Switching,平面转化)方式具有优异的特性。

IPS方式也有很多种,作为减少层数从而减少工序数的方式,开发了图12所示的结构的IPS方式。图12是TFT基板的剖视图。在图12中,在TFT基板之上形成有像素电极,在像素电极之上形成有栅极绝缘膜,在栅极绝缘膜之上形成有无机钝化膜。在无机钝化膜之上形成有具有狭缝的公共电极。在图12的左侧形成由栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、漏电极、及源电极构成的TFT,从该TFT的源电极经由形成在栅极绝缘膜上的通孔而向像素电极提供影像信号。借助形成在公共电极和像素电极之间的电场使液晶分子旋转来控制液晶层的透过率从而形成图像。

在这种结构的液晶显示装置中也与以往的液晶显示装置相同,需要使用间隔件来控制对置基板和TFT基板的间隔。此外,若存在形成于对置基板侧的间隔件和TFT基板侧之间的取向膜的剥落,则产生亮点这一问题也相同。

本发明的课题是,在这种IPS方式的液晶显示装置中,实现在使用柱状间隔件而控制TFT基板和对置基板的间隔的结构中,不需要特别的工艺就能抑制取向膜的剥落的、高可靠性的液晶显示装置。

本发明能够克服上述课题,代表性的方法如下所述。

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