[发明专利]制备熔融织构高温超导块材过程中放置底部隔离层的方法

权利要求书

1.一种制备熔融织构高温超导块材过程中放置底部隔离层的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

A.制备超导块材前驱物坯料；

B.制备隔离层：将用作隔离层的粉体置入模具中，然后模压成型，制备出用于隔离层的薄片；该用作隔离层的粉体为REBaCuO材料或其与Yb₂O₃的混合物，且该隔离层粉体满足熔点和结晶温度均比母体低，以及在母体熔化温度下不能完全熔化；该隔离层薄片的厚度为1.5-3mm；

C.在超导块材前驱物坯料底部放置一个隔离层薄片，然后一起放置在铺有一层MgO单晶的氧化铝垫片上，再放入高温晶体生长炉，采用顶部籽晶结合熔融织构生长工艺制备单畴REBaCuO超导块材。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A包括以下操作：将固相法制备的RE123与RE211粉体以1∶0.2～0.5的摩尔比称重，然后混合并研磨，再用单轴模压成型，制成超导块材前驱物坯料。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤B中的REBaCuO材料为RE123系材料和RE211系材料的混合物。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述RE123系材料选自Y123，和Gd123；所述RE211系材料选自Y211和Gd211。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

A.将固相法制备的Gd123与Gd211粉体按Gd123∶Gd211＝1∶0.4的摩尔比称量，经高速振摆球磨混合均匀，用单轴模压压制成超导块材前驱物坯料；

B.将固相法制备的Y123与Y211粉体按Y123∶Y211＝1∶0.4的摩尔比称量，经高速振摆球磨混合研磨均匀后，用单轴模压压成厚度为2mm的圆片；

C.在超导块材前驱物坯料底部放置一个隔离层薄片，然后一起放置在铺有一层MgO单晶的氧化铝垫片上，再放入高温晶体生长炉，采用顶部籽晶结合熔融织构生长工艺制备生长单畴GdBaCuO超导块材。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

A.将固相法制备的Y123与Y211粉体按Y123∶Y211＝1∶0.4的摩尔比称量，经高速振摆球磨混合均匀，用单轴模压压制成超导块材前驱物坯料；

B.将固相法制备的Y123与Y211粉体按Y123∶Y211＝1∶0.4的摩尔比称量，并混入15wt％的Yb₂O₃，经高速振摆球磨混合研磨均匀后，用单轴模压压成厚度为1.5mm的圆片；

C.在超导块材前驱物坯料底部放置一个隔离层薄片，然后一起放置在铺有一层MgO单晶的氧化铝垫片上，再放入高温晶体生长炉，采用顶部籽晶结合熔融织构生长工艺制备生长单畴YBaCuO超导块材。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

A.将固相法制备的Gd123与Gd211粉体按Gd123∶Gd211＝1∶0.4的摩尔比称量，经高速振摆球磨混合均匀，用单轴模压压制成超导块材前驱物坯料；

B.将固相法制备的Gd123与Gd211粉体按Gd123∶Gd211＝1∶0.4的摩尔比称量，并混入15wt％的Yb₂O₃，经高速振摆球磨混合研磨均匀后，用单轴模压压成厚度为2mm的圆片；

C.在超导块材前驱物坯料底部放置一个隔离层薄片，然后一起放置在铺有一层MgO单晶的氧化铝垫片上，再放入高温晶体生长炉，采用顶部籽晶结合熔融织构生长工艺制备生长单畴GdBaCuO超导块材。