[发明专利]Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法

权利要求书

1.一种Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法，其特征在于按照以下步骤进行：

（1）将基片用丙酮、乙醇以及去离子水用超声波依次清洗后，用氮气吹干送入反应室；

（2）磁控溅射Al膜的沉积：将沉积室本底抽到9.0×10^-4 Pa之后，通入氩气，在基片衬底上射频溅射Al靶材，沉积制备厚度为30~50nmAl薄膜；

（3）有机物化学气相沉积制备中间层ZnO薄膜：将沉积反应室真空抽至7.0×10^-4 Pa后，将沉积上Al膜的基片加热至20~400℃，向反应室内同时通入氩气携带的Zn(CH₂CH₃)₂和O₂，Zn(CH₂CH₃)₂和O₂量由质量流量计控制流量比为（1~4）：（100~400），控制气体总压强为0.8~2.2Pa；在电子回旋共振频率为650W，反应25~40min, 得到400~600nm的ZnO薄膜；

（4）磁控溅射Cu膜的沉积：将沉积室本底抽到8.0×10^-4 Pa之后，通入氩气，在ZnO/Al基片上射频溅射Cu靶材，沉积制备厚度为10~40nm的Cu薄膜；

（5）对Cu/ZnO/Al的多层结构的透明导电薄膜进行高温退火，退火温度为100~400℃，退火时间为30min，得到Cu、Al共同掺杂的ZnO光电透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法，其特征在于所述基片为普通康宁玻璃、蓝宝石、石英、太阳能电池片、硅片或有机聚合物。

3.根据权利要求1所述的一种Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法，其特征在于所述所述步骤（2）中磁控溅射Al膜的沉积条件具体为：对基片衬底进行加热至100℃并调整氩气气体流量使气压达到5Pa，溅射功率为100W，溅射时间为1~5min，使得Al薄膜厚度为30~50nm。

4.根据权利要求1所述的一种Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法，其特征在于所述所述步骤（4）磁控溅射Cu膜的沉积条件具体为：ZnO/Al基片进行加热至150℃，并调整氩气气体流量使气压达到8Pa，溅射功率为100W，溅射时间为1~4min，使得Cu膜的厚度是10~40nm。