[发明专利]发光器件在审
申请号: | 201210574741.1 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103178183A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 罗珉圭;秋圣镐;朱炫承;洪奇锡;卢志希 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 达小丽;夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
1.一种发光器件,包括:
发光结构,所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层;
透光导电层,所述透光导电层被布置在所述第二导电型半导体层上并且具有通过其使得所述第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域;以及
第二电极,所述第二电极被布置在所述透光导电层上以便延伸超出开口区域中的至少一个,
其中,所述第二电极接触所述开口区域中的所述第二导电型半导体层并且接触除了所述开口区域之外的区域中的所述透光导电层。
2.一种发光器件,包括:
发光结构,所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层;
透光导电层,所述透光导电层被布置在所述第二导电型半导体层上并且具有通过其使得所述第二导电型半导体层被暴露的多个开口区域;
第一电极,所述第一电极被布置在所述透光导电层上并且在多个区域中点接触所述第一导电型半导体层;以及
第二电极,所述第二电极被布置在所述透光导电层上并且在除了所述开口区域之外的区域中点接触所述透光导电层。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件,其中,所述第二电极欧姆接触所述透光导电层并且肖特基接触所述第二导电型半导体层。
4.根据权利要求1或2所述的发光器件,其中,所述第一电极的至少一部分被插入在所述开口区域的至少一部分之间。
5.根据权利要求1或2所述的发光器件,其中,以恒定的间隔来布置所述开口区域的至少一部分。
6.根据权利要求1或2所述的发光器件,进一步包括:所述透光导电层上的透光绝缘层,其中所述第一电极的一部分被形成以从所述透光绝缘层、通过所述透光导电层、所述第二导电型半导体层以及有源层延伸,以便被电连接到所述第一导电型半导体层。
7.根据权利要求6所述的发光器件,其中,所述透光绝缘层被暴露以与所述透光导电层的开口区域相对应。
8.根据权利要求1或2所述的发光器件,其中,所述第一导电型半导体层是n型半导体层,以及所述第二导电型半导体层是p型半导体层。
9.根据权利要求1或2所述的发光器件,其中,所述第二电极包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘分支的至少两个第二分支电极。
10.根据权利要求9所述的发光器件,其中,所述两个第二分支电极被布置成相互面对。
11.根据权利要求9所述的发光器件,其中,所述第一电极的至少一部分被插入在所述两个第二分支电极的至少一部分之间。
12.根据权利要求10所述的发光器件,其中,在其中所述透光导电层被连接在所述两个第二分支电极中的每一个与所述第二导电型半导体层之间的至少一个区域被布置在除了所述开口区域之外的区域中。
13.根据权利要求12所述的发光器件,其中,所述至少一个区域包括其中所述透光导电层被连接在所述第二分支电极和所述第二导电型半导体层之间的、用于所述两个第二分支电极中的每一个的至少两个区域。
14.根据权利要求12所述的发光器件,其中,接触所述第二导电型半导体层的所述第二分支电极的区域比被连接到所述透光导电层的所述第二分支电极的区域宽。
15.根据权利要求12所述的发光器件,其中,所述第二分支电极在与所述透光导电层的连接区域中具有的高度大于接触所述第二导电型半导体层的区域中的所述第二分支电极的高度。
16.根据权利要求15所述的发光器件,其中,为除了所述开口区域之外的区域中的所述两个第二分支电极中的每一个而形成的至少一个区域被布置以相互对应。
17.根据权利要求16所述的发光器件,其中,所述第一电极包括第一电极焊盘和第一分支电极,所述第一分支电极从所述第一电极焊盘分支并且被插入在所述两个第二分支电极之间。
18.根据权利要求17所述的发光器件,其中,所述第一分支电极被布置在所述透光绝缘层上。
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