[发明专利]一种全桥芯片植入式颅压传感器无效
| 申请号： | 201210563420.1 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103110414A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 赵玉龙;孟夏薇;赵友 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | A61B5/03 | 分类号： | A61B5/03 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 植入 式颅压 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种全桥芯片植入式颅压传感器，包括外壳（1）、敏感芯片（2）、金丝引线（3）、生物胶（4）、电缆线（5）、后续电路（6），其特征在于：外壳（1）作为基座，其上通过生物胶（4）粘接有敏感芯片（）2，敏感芯片（2）中的方形薄膜位于外壳（1）顶部缺口的正下方，在敏感芯片（2）的方形薄膜上配有四个阻值相同的压阻条，四个压阻条构成惠斯通电桥，惠斯通电桥通过金丝引线（3）和电缆线（5）连接，通过电缆线（5）实现给传感器提供桥路电源和输出与压力相关的电压信号，电缆线（5）将电压信号提供给后续电路（6）处理。
2.根据权利要求1所述的一种全桥芯片植入式颅压传感器，其特征在于：所述的敏感芯片（2）采用了（100）晶面硅。
3.根据权利要求1所述的一种全桥芯片植入式颅压传感器，其特征在于：敏感芯片（2）上的四个压阻条沿着[110]和晶向布置。
4.根据权利要求1所述的一种全桥芯片植入式颅压传感器，其特征在于：所述的敏感芯片（2）采用250um厚双面抛光N型单晶硅片材料制作。
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