[发明专利]一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏及其制备方法

权利要求书

1.一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏，其特征在于：当制作 100g研磨膏时各组份所占的重量份如下：

磨料           5g～30g；

分散剂         5g～30g；

助研剂         5g～25g；

润滑剂         5g～25g；

增稠剂         5g～25g；

辅助剂         1g～5g；

调和剂         1g～15g。

2.如权利要求1所述的一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏，其特征在于：所述的磨料为碳化硼微粉、立方氮化硼微粉或金刚石微粉，这些微粉的粒径是3.5～50μm。

3.如权利要求1所述的一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏，其特征在于：所述分散稳定剂为丙三醇、三乙醇胺、聚乙烯醇、聚丙二醇、壬基酚聚氧乙烯醚中的一种或两种或三种的混合物。

4.如权利要求1所述的一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏，其特征在于：所述的助研剂为氢氧化钠、氢氧化钾、氧化铬、硬脂酸、蜂蜡、桕子油、乙醇胺、异丙醇胺、二羟乙基乙二胺中的一种或两种以上的混合物。

5.如权利要求1所述的一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏，其特征在于：所述的增稠剂为石腊、棕榈蜡、太空蜡中的一种或两种或三种的混合物。

6.如权利要求1所述的一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏，其特征在于：所述的润滑剂为凡士林、球形纳米粉末（其粒径为1~5nm）。

7.如权利要求1所述的一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏，其特征在于：所述的调和剂为水、甘油、油酸、煤油的一种或两种以上的混合物。

8.如权利要求1所述的一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏，其特征在于：所述的辅助剂为防腐剂、着色剂和芳香剂的混合物。

9.一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）取干净的搅拌棒和容器若干，待用；

（2）先秤量助研剂，充分混合，如需加热，则加热至溶化，搅拌均匀，待用；

（3）秤量增稠剂，加热至90～100℃，待完全溶化后，加入润滑剂、调和剂及分散剂，搅拌均匀；

（4）秤量所需的磨料微粉，根据磨料微粉粒度用相应的筛网进行筛过，使其疏松与均匀，待用；

（5）将步骤（2）配制的助研剂与步骤（3）配制的混合物进行混合；加热并搅拌，待加热温度在60～80℃时，加入步骤（4）中备好的磨料微粉，充分搅拌，并加入辅助剂，搅拌均匀后，让其自然冷却成膏。