[发明专利]一种EEPROM存储装置及其数据存储方法

说明书

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种EEPROM存储装置及其数据存储方法。

背景技术

随着信息的迅猛增加，存储技术越来越重要。现有的存储技术中，嵌入式系统中非易失性存储器的数据存储方法是广泛应用的一种，此方法是按照存储器中的物理结构将其分为一个以上的段，并给予每个段唯一的编号，再将每个段划分为一个以上的逻辑块，在段内给予有效逻辑块唯一的编号，对存储器中段的擦除都是循环交替进行的，存储器中每一段的擦除次数都相同，实现了对存储器的均匀磨损和断电保护。上述方法有两个模块，一个存储数据，一个存储数据地址，并且存在一个空白段，每次上电时通过寻找空白段来寻找上次断电时存储的数据。但是，对于某些内部包含EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,电可擦可编程只读存储器)结构的特定的芯片，存储数据时需要先擦除再写入，并且存储器中无空白段，无法在上电时寻找到空白段，也就无法寻找到上次断电时存储的数据。例如：飞思卡尔的EEPROM，EEPROM内无空白段，若要标记空白段，就得把标记位写入EEPROM内，如此消耗了存储器一倍的擦除次数，缩短了芯片的使用寿命。

发明内容

本发明旨在至少解决上述技术的问题之一。

为此，本发明的第一个目的在于提出一种EEPROM存储装置，能够实现断电保护，充分利用存储空间，延长存储装置的寿命。本发明的另一个目的在于提出一种数据存储方法。

为了实现上述目的，本发明第一方面的实施例提出一种EEPROM存储装置，包括EEPROM芯片，所述EEPROM芯片包括：第一存储单元，用于存储第一类数据，其中，所述第一类数据为所述电可擦可编程只读存储器EEPROM存储装置上次断电时保存的数据；第二存储单元，用于存储第二类数据，其中所述第二类数据为所述第一存储单元的地址；第三存储单元，用于存储第三类数据，其中所述第三类数据为所述第二存储单元的当前地址；以及，读取控制单元，用于在所述EEPROM芯片上电之后，根据所述第三类数据在所述第二存储单元中查找到所述第二类数据，根据所述第二类数据在所述第一存储单元中查找到所述第一类数据。

根据本发明实施例的EEPROM存储装置，通过将EEPROM芯片存储空间划分为三个存储单元，并且其中的一个存储单元作为固定存储单元，用于存储断电时对应的数据地址，上电时读取此固定单元中的数据，从而找到断电时所存储的数据，实现了断电数据保护。另外，第一类数据循环存储在第二存储单元的一个地址中，实现了数据的循环存储，充分利用存储空间。

为了实现上述目的，本发明的第二方面实施例提出一种数据存储方法，该数据存储方法基于第一方面实施例提出的EEPROM存储装置，包括以下步骤：对所述EEPROM存储装置进行上电；判断是否为首次上电；如果为首次上电，则获取所述EEPROM芯片的第二存储单元的一个第二存储块的地址作为所述第二存储单元的当前地址；将所述第二存储单元的当前地址写入所述第三存储单元；以及在所述EEPROM存储装置断电时，将断电时保存的数据写入第一存储单元，并将所述第一存储单元的当前地址写入所述第二存储单元的一个第二存储块。

根据本发明实施例的数据存储方法，通过将EEPROM芯片的存储空间划分为三个存储单元，并将断电时的数据地址存储在其中的一个固定存储单元，上电时通过读取此固定存储单元中的数据，从而找到断电时所存储的数据，实现了断电数据保护。另外，将其中数据实时更新的存储单元中的数据循环存储在存储其地址信息的存储单元的一个地址中，实现了数据的循环存储，充分利用存储空间。此外，该方法延长了存储芯片的寿命。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中，

图1是根据本发明实施例的EEPROM存储装置结构的示意图；

图2是根据本发明的一个实施例的EEPROM存储装置存储数据的示意图；

图3是根据本发明的一个实施例的EEPROM存储装置中第二存储单元的地址执行自加1后存储数据的示意图；

图4是根据本发明的一个实施例的EEPROM存储装置进行读取数据的示意图；

图5是根据本发明实施例的数据存储方法的流程图；