[发明专利]一种Au修饰TiO2纳米棒阵列光阳极的制备方法有效
| 申请号： | 201210552885.7 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103872174A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 俞红梅;李永坤;付丽;张长昆;邵志刚;衣宝廉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 au 修饰 tio sub 纳米 阵列 阳极 制备 方法 | ||
1.一种Au修饰TiO2纳米棒阵列光阳极的制备方法，其主要特征在于包括以下步骤：
（1）预沉积Au过程如下：将洁净的FTO作为阳极，Pt电极或石墨电极作为对电极，饱和甘汞电极或银-氯化银电极作为参比电极，在浓度为0.1mM-10M的Au离子的前驱体溶液中进行三电极体系恒电流沉积，沉积电量控制在25mC/cm2-500mC/cm2之间；
（2）水热合成制备TiO2纳米棒阵列过程如下：将Au/FTO基底置于含Ti前驱体溶液的高压釜中，进行水热反应后，样品取出清洗，即在Au/FTO导电面生长有一层TiO2纳米棒阵列膜（TiO2/Au/FTO）；
（3）TiO2纳米棒表面担载Au过程如下：将TiO2/Au/FTO作为阳极，Pt电极作为对电极，饱和甘汞电极或银-氯化银电极作为参比电极，在浓度为0.1mM-10M的Au离子的前驱体溶液中进行三电极体系恒电流沉积，沉积电量控制在25mC/cm2-500mC/cm2之间。
2.按照权利要求书1所述的Au修饰TiO2纳米棒阵列光阳极的制备方法，其特征在于：
步骤（1）中所述导电玻璃为掺氟的氧化铟锡导电玻璃（FTO）。
3.按照权利要求书1所述的Au修饰TiO2纳米棒阵列光阳极的制备方法，其特征在于：
步骤（1）中所述Au的前驱体溶液为H2AuCl4的水溶液或含Au的其它盐类的水溶液Na2AuCl4等或H2AuCl4、Na2AuCl4等含金溶液与含有摩尔浓度为1mM-20M辅助电解质的盐溶液，辅助电解质为NaCl、KCl中一种或二种以上。
4.按照权利要求书1所述的Au修饰TiO2纳米棒阵列光阳极的制备方法，其特征在于：
步骤（2）中所述Ti的前驱体溶液为C16H36O4Ti或TiCl4、或其它含钛Ti盐与HCl和H2O按混合比为2-10:10-45:10-45（体积混合比%）混合而成的溶液或其与辅助电解质如NaCl，KCl形成的盐溶液，辅助电解质浓度为1mM-20M。
5.按照权利要求书1所述的Au修饰TiO2纳米棒阵列光阳极的制备方法，其特征在于：
步骤（2）中所述水热反应的温度为100℃-300℃，水热反应的时间为8h-30h。
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