[发明专利]已做发射区推进的三极管hfe的二次增大方法

说明书

技术领域

本发明涉及双极结型晶体管的制造方法，特别是涉及一种已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法。

背景技术

在制造双极结型晶体管（BJT，简称三极管）的过程中，需要对三极管的发射区进行P型杂质的主扩散（简称P主扩），即将晶圆表面的P型杂质通过主扩散工艺推进到晶圆内部一定的深度，以期获得所需的小信号正向电流增益（h_fe）。

在做完P主扩后，晶圆中三极管的小信号正向电流增益h_fe已经确定，这是因为基区和发射区已经形成，此时可以对h_fe进行测试。传统对于h_fe偏小的三极管，需要进行报废处理。但这会造成浪费，增加成本。

发明内容

基于此，有必要提供一种已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法。

一种已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法，包括下列步骤：测试晶圆上三极管的小信号正向电流增益；若小信号正向电流增益低于合格值，则对所述晶圆进行小信号正向电流增益的二次增大，具体包括：将所述晶圆置于扩散炉内，炉内环境为第一温度且通入保护气体；将所述扩散炉的炉内温度升温至第二温度；将所述扩散炉在第二温度附近保温一段时间；保温时间由需要达到的小信号正向电流增益决定，增益越大所述保温时间越长；将所述炉内温度降温至第三温度，然后取出所述晶圆；所述第一温度为600～800摄氏度，所述第二温度为1000～1100摄氏度，所述第三温度为600～800摄氏度。

在其中一个实施例中，所述保护气体为氧气，所述将所述扩散炉的炉内温度升温至第二温度的步骤中保持氧气环境，所述将扩散炉在第二温度附近保温一段时间的过程中通入氮气使炉内变为氮气环境。

在其中一个实施例中，所述第二温度为1050摄氏度。

在其中一个实施例中，所述第一温度和第三温度为700摄氏度。

在其中一个实施例中，所述需要达到的小信号正向电流增益和保温时间满足如下关系：其中T为所述保温时间，单位分钟，h_fe为所述小信号正向电流增益。

上述已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法，对h_fe达不到所需倍数的晶圆进行h_fe的二次增大，增大后的h_fe能够符合要求，从而降低了不良损耗，节省了成本。

附图说明

图1是一实施例中已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

图1是一实施例中已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法的流程图，包括下列步骤：

S110，测试晶圆上三极管的小信号正向电流增益。

在P主扩完成后，测试晶圆上的双极结型晶体管的小信号正向电流增益（h_fe）。

S120，判断h_fe是否低于合格值。

若h_fe高于合格值，则不需要进行h_fe的二次增大，否则进入步骤S130。

S130，将晶圆置于扩散炉内，炉内环境为第一温度且通入保护气体。

将需要进行h_fe二次增大的晶圆置于处于600～800摄氏度、优选为700摄氏度的扩散炉内，并向炉内通入氧气。本实施例中通入氧气是因为需要在后续步骤中通入氮气对晶圆进行保护，但是晶圆中的某些物质会在高温下与氮气发生反应，故需要在此步骤中通入氧气而在晶圆表面生长一层二氧化硅，从而保护晶圆使其不会在高温下与氮气反应生成氮化硅。在其它实施例中，也可以采用氖气等惰性气体作为保护气体，但其成本较高。

S140，将散炉的炉内温度升温至第二温度。

在氧气环境中将炉内温度升温至1000～1100摄氏度，优选为1050摄氏度。

S150，将扩散炉在第二温度附近保温一段时间。