[发明专利]一种防断式栅晶体硅太阳能电池无效
申请号: | 201210546510.X | 申请日: | 2012-12-17 |
公开(公告)号: | CN102969370A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 连维飞;保罗;魏青竹;苗成祥;张会明;任军林 | 申请(专利权)人: | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
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地址: | 215542 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防断式栅 晶体 太阳能电池 | ||
1.一种防断式栅晶体硅太阳能电池,包括有硅片本体,其特征在于:所述的硅片本体上纵向分布有主删线组件,所述的硅片本体上横向分布有细删线组件,所述的细删线组件之间设置有次栅线组件。
2.根据权利要求1所述的一种防断式栅晶体硅太阳能电池,其特征在于:所述的主删线组件之间等距离分布。
3.根据权利要求1所述的一种防断式栅晶体硅太阳能电池,其特征在于:所述的细删线组件之间等距离分布。
4.根据权利要求1所述的一种防断式栅晶体硅太阳能电池,其特征在于:所述的次栅线组件呈线性纵向间隔分布在细删线组件之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的