[发明专利]一种直流合成场测量仪的校准装置有效
| 申请号： | 201210545586.0 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102998649A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张建功;张业茂;邬雄;谢辉春;干喆渊;刘兴发;赵军;张泽平 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 潘杰;李满 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直流 合成 测量仪 校准 装置 | ||
1.一种直流合成场测量仪的校准装置，其特征在于：它包括由下至上依次布置的直流场接地极（1）、直流场高压极（2）、控制极（3）和离子流极（4）、设置在直流场接地极（1）中部的校准孔（5）、设置在校准孔（5）下方的支持平台（13），其中，所述直流场接地极（1）和直流场高压极（2）之间设有第一绝缘支柱（6），直流场高压极（2）和控制极（3）之间设有第二绝缘支柱（7），控制极（3）和离子流极（4）之间设有第三绝缘支柱（8），所述直流场接地极（1）上还设有多个与直流场接地极（1）绝缘的离子流接受板（9）。
2.根据权利要求1所述的直流合成场测量仪的校准装置，其特征在于：所述直流场接地极（1）和直流场高压极（2）之间形成校准区，直流场高压极（2）和控制极（3）之间形成注入区，控制极（3）和离子流极（4）之间形成电荷产生区。
3.根据权利要求1或2所述的直流合成场测量仪的校准装置，其特征在于：所述直流场接地极（1）和直流场高压极（2）之间的间距为15cm～30cm，直流场高压极（2）和控制极（3）之间的距离为10cm～20cm，控制极（3）和离子流极（4）之间的距离为10cm～20cm。
4.根据权利要求1或2所述的直流合成场测量仪的校准装置，其特征在于：所述直流场接地极（1）为导电金属板，所述直流场高压极（2）和控制极（3）均为导电金属网，离子流极（4）为导电金属丝。
5.根据权利要求1或2所述的直流合成场测量仪的校准装置，其特征在于：所述校准孔（5）有两个，一个为正方形校准孔，另一个为圆形校准孔。
6.根据权利要求1或2所述的直流合成场测量仪的校准装置，其特征在于：所述离子流接受板（9）为铜板，所述离子流接受板（9）嵌入直流场接地极（1），使得离子流接受板（9）与直流场接地极（1）位于同一平面。
7.根据权利要求6所述的直流合成场测量仪的校准装置，其特征在于：所述离子流接受板（9）通过环氧树脂板（10）与直流场接地极（1）绝缘连接。
8.根据权利要求6所述的直流合成场测量仪的校准装置，其特征在于：所述离子流接受板（9）到直流场接地极（1）边缘的间距大于直流场接地极（1）与直流场高压极（2）之间的间距。
9.根据权利要求7所述的直流合成场测量仪的校准装置，其特征在于：所述离子流接受板（9）与直流场接地极（1）之间连接有电流表（11）。
10.根据权利要求1所述的直流合成场测量仪的校准装置，其特征在于：所述支持平台（13）为绝缘支持平台。
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