[发明专利]Pb掺杂In4Se3热电材料及其制备方法

说明书

本发明涉及一种Pb掺杂In₄Se₃基热电材料In_4‑xPb_xSe₃(x=0.01,0.02,0.04‑0.06)的制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb掺杂In₄Se₃的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb掺杂的In₄Se₃基热电材料的热电优值最大达到0.8,比未掺杂提高40%，接近于目前商业化热电材料体系的热电优值，因此可用于热‑电转换器件制作。

技术领域

本发明属于材料科学领域，涉及一种新型热电材料的制备方法。

背景技术

热电材料是一种通过固体内部载流子（电子或空穴）的运动实现热能和电能互相转换的新型功能材料，是一类具有极大应用前景的能量转换材料。可用于致冷或发电, 尤其是特殊条件下，如极地，太空，或环保家用冰箱中不可替代的材料。热电材料器件的优点是：固态、无噪声、无振动、无氟里昂等破坏环境物质、能量转化可靠、尺寸小、重量轻。目前，国际上研究较多的热电材料主要是半导体及其合金，如Bi₂Te₃基材料、PbTe基材料、AgSbTe₂及(AgSbTe₂)_1-x(GeTe)_x固溶体、金属硅化物（Mg/Mn/Fe）、以及SiGe合金等。1990年代出现一类统称“声子玻璃电子晶体”（PGEC）的材料，这类热电材料主要有方钴矿、笼合物、β-Zn₄Sb₃、Half-Heusler等。但是这些体系未掺杂的材料的热电优值并不高；通过掺杂优化后的形成的重掺杂材料在热电优值上一般有很大程度的提高。但是，近半个世纪的研究结果表明，通过掺杂等手段对材料的转换效率进行提升的幅度有限；而通过纳米化等手段得到性能提升的复合材料，虽然转换效率提升较大，但热稳定性却因纳米颗粒的高温聚合熟化作用而大大降低。因此，探索发现新颖高效热电化合物是获得高稳定性，高转换效率热电材料的有效途径之一。

In₄Se₃是一个具有各向异性的准二维晶体结构的层状化合物，且其能隙为0.5ev左右，基本符合作为优良热电材料候选条件，因此引起了科研家的兴趣和广泛关注。近年有研究报道证明其是一类潜力巨大的新型热电材料，多晶样品在713 K的热电优值达到0.6，比目前被广泛研究甚至商业化的体系未掺杂的热电优值高很多，比如，PbTe未掺杂优化最大值为0.50，SiGe未掺杂优化最大值为0.5，方钴矿未掺杂优化最大值仅为0.04。但In₄Se₃电导仍然较小，其载流子溶度为4.13 × 10¹⁶ c m^-3，与最佳载流子溶度1.0-5.0 × 10¹⁹ cm^-3相差三个数量级，所以通过改变掺杂的量可以有效地调节载流子溶度，从而使得其热电优值进一步提高。但目前报道In₄Se₃多晶样品均含有少量InSe杂相使得掺杂提高载流子溶度受到一定的限制。基于已报道的研究，我们进一步改进了合成方法实现In₄Se₃纯相的获得，并成功地对其In（3个电子）的位置进行掺杂提高载流子溶度，使In₄Se₃基热电材料的热电优值提高到0.8。相关工作，至今未见文献报道。

发明内容

发明目的: (1) 提供一种Pb掺杂In₄Se₃基热电材料In_4-xPb_xSe₃ (x=0.01,0.02,0.04-0.06)，当x=0.01，材料的热电优值达到0.8 ; (2)提供一种Pb掺杂In₄Se₃基热电材料的制备方法; (3)提供一种性能优良的Pb掺杂In₄Se₃基热电材料的用途；