[发明专利]单谱带上转换发光纳米晶及其制备方法无效
| 申请号： | 201210535029.0 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103102880A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 陈大钦;王元生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C09K11/67 | 分类号： | C09K11/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带上 转换 发光 纳米 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有单谱带上转换发光特性的稀土离子掺杂的Na3MF7(M=Zr, Hf)纳米晶及其制备方法，其特征在于该类材料的制备包括如下步骤：：
（1）将氯氧化锆或氯氧化铪（MOCl2·8H2O，M=Zr或Hf）和稀土（Ln=Yb/Er或Yb/Tm）离子盐（可选择硝酸盐、氯酸盐或醋酸盐）按一定摩尔比例（1≤M/Ln≤19）加入到40 mL乙醇中，配成0.0125 mol/L的澄清溶液；
（2）将步骤（1）所得溶液逐滴加入到25 mL油酸、5 mL 油胺和2.5 g油酸钠的混合液中，充分搅拌后移入到100 mL水热釜中，随后滴加入3.0 mol/L的氟化铵水溶液1 mL，最后在90-130℃温度下保温1-24小时进行溶剂热反应；
（3）将步骤（2）所得的纳米晶用乙醇和环己烷混合液洗涤，于40～80℃烘干后得到最终产物。
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