[发明专利]一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法有效
| 申请号： | 201210532250.0 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102963864A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 张威;苏卫国;邓康发;李宋;周浩楠;江少波;郑焕 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 张肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 bcb 晶片 空腔 密封 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片级微空腔的密封方法，其特征在于，所述密封方法包括以下步骤：
1）炫涂BCB胶及软烘：在半导体晶片上先旋涂BCB胶，之后软烘来部分聚合化BCB胶；
2）光刻形成微空腔的图形；
3）刻蚀BCB胶，然后刻蚀半导体晶片，形成微空腔；
4）表面有旋涂有BCB胶的微空腔的半导体晶片，与设置有MEMS器件的器件晶片进行对准并键合。
2.如权利要求1所述的密封方法，其特征在于，在步骤1）中，软烘在温度100~250℃之间，及时间1~60分钟内。
3.如权利要求1所述的密封方法，其特征在于，在步骤2）中，光刻胶的厚度在1~50μm之间。
4.如权利要求1所述的密封方法，其特征在于，在步骤3）中，刻蚀气体六氟化硫SF6和氧气O2比例在1:1至1:10之间。
5.如权利要求1所述的密封方法，其特征在于，在步骤4）中，键合压力在1~3.5ba之间。
6.如权利要求1所述的密封方法，其特征在于，在步骤1）中，BCB胶的厚度在1~20μm之间。
7.如权利要求1所述的密封方法，其特征在于，所述半导体晶片采用硅或玻璃等。
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