[发明专利]氧氮化物基磷光体、包含其的发光装置及其制备方法有效
申请号: | 201210525704.1 | 申请日: | 2012-12-07 |
公开(公告)号: | CN103146378A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 元炯植;孙基先;朴云培 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;顺天大学校产学协力团 |
主分类号: | C09K11/59 | 分类号: | C09K11/59;H01L33/50 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 丁业平;金小芳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化物 磷光体 包含 发光 装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种氧氮化物基磷光体,包含:
溶于主体材料中的稀土元素,所述主体材料由以下通式表示:
Ca15Si20O10N30,
其中所述稀土元素为选自由锰(Mn)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、镝(Dy)、铽(Tb)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)和镱(Yb)组成的组中的至少一者,并且
所述主体材料具有根据X射线粉末衍射图谱的峰值的晶格,所述晶格具有立方晶体结构。
2.权利要求1所述的氧氮化物基磷光体,其中,当所述稀土元素表示为Re时,所述氧氮化物基磷光体由以下通式表示:
(Ca1-x)15Si20O10N30:Rex(0.0001<x<0.2)。
3.权利要求1所述的氧氮化物基磷光体,其中,在所述主体材料的所述立方晶体结构中,晶体常数并且所述晶体常数a的变化率为10%或更小。
4.权利要求1所述的氧氮化物基磷光体,其中所述稀土元素为Eu2+。
5.权利要求1所述的氧氮化物基磷光体,其中所述立方晶体结构的空间群为Pa-3。
6.权利要求1所述的氧氮化物基磷光体,其中相对于峰波长在250nm至550nm范围内的激发光,所述氧氮化物基磷光体表现出的发光峰波长为600nm至660nm。
7.权利要求1所述的氧氮化物基磷光体,其中所述氧氮化物基磷光体的平均粒度为1μm至20μm。
8.一种发光装置,包括:
发光元件,其被构造成发射激发光;以及
波长转换单元,其被构造成吸收所述激发光并发射可见光,
其中所述波长转换单元包括:
氧氮化物基磷光体,所述氧氮化物基磷光体具有溶于由以下通式表示的主体材料中的稀土元素:
Ca15Si20O10N30,
其中所述稀土元素为选自由锰(Mn)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、镝(Dy)、铽(Tb)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)和镱(Yb)组成的组中的至少一者,并且
所述主体材料具有根据X射线粉末衍射图谱的峰值的晶格,所述晶格具有立方晶体结构。
9.权利要求8所述的发光装置,其中所述发光元件是紫外光发光二极管或蓝光发光二极管。
10.权利要求8所述的发光装置,其中当所述稀土元素表示为Re时,所述氧氮化物基磷光体由以下通式表示:
(Ca1-x)15Si20O10N30:Rex(0.0001<x<0.2)。
11.权利要求8所述的发光装置,其中在所述主体材料的立方晶体结构中,晶体常数并且所述晶体常数a的变化率为10%或更小。
12.权利要求8所述的发光装置,其中所述稀土元素为Eu2+。
13.权利要求8所述的发光装置,其中所述立方晶体结构的空间群为Pa-3。
14.权利要求8所述的发光装置,其中相对于峰波长在250nm至550nm范围内的激发光,所述氧氮化物基磷光体表现出的发光峰波长为600nm至660nm。
15.权利要求8所述的发光装置,其中所述氧氮化物基磷光体的平均粒度为1μm至20μm。
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