[发明专利]太阳能电池片的上下式电极结构有效
申请号: | 201210524975.5 | 申请日: | 2012-12-10 |
公开(公告)号: | CN102983179A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 盛健;威灵顿·皮埃尔J | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 上下 电极 结构 | ||
技术领域
本发明涉及光电技术领域,特别是涉及一种太阳能电池片的电极结构。
背景技术
随着全球能源的日趋紧张,太阳能以无污染、市场空间大等独有的优势受到广泛重视。光伏发电具有安全可靠、无噪声、故障率低等优点,太阳能电池是光伏发电技术中将太阳能直接转化为电能的主要部件。
常见的晶体硅太阳能电池是由背面电极、半导体材料构成的P型层、N型层、P—N结、减反射薄膜、正面栅电极等部分组成。当太阳光照射到太阳能电池表面时,减反射薄膜和绒面结构可有效减少电池表面的光反射损失。太阳能电池中的半导体结构吸收太阳能后。激发产生电子、空穴对,电子、空穴对被半导体内部P—N结自建电场分开,电子流进入N区,空穴流入P区,形成光生电场,如果将晶体硅太能能电池的正、负极与外部电路连接,外部电路中就有光生电流通过。
目前多数的晶体硅太阳能电池电池采用P型硅片,经过磷扩散后形成P—N结,在P型硅上制作背电极和背场,在扩散形成的N面制作正面栅电极,整个器件利用P—N结的光生伏特效应来工作。对于125mm×125mm的单晶硅或多晶硅电池的正面栅电极一般采用两条主栅线,对于156mm×156mm的单晶硅或多晶硅电池的正面栅电极可增加到三条主栅线。然后再垂直于主栅线的两边加上一定数目的均匀且平行分布的副栅线。在光照下晶体硅太阳能电池产生的电流通过副栅线和主栅线相互导通,主栅线构成电池的负电极,电流汇聚到主栅线上导出。但这种电池的电流收集方式还存在下根不足,即只能统一发电,只有一种供电方式,在供电需求不足时,往往会造成浪费。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有多个独立发电单元的太阳能电池片的上下式电极结构,各部分独立单元可以在并联后合并使用,也可以作为单独发电单元使用。
实现本发明目的的技术方案是:一种太阳能电池片的上下式电极结构,包括背电极和正面栅电极,背电极分布于太阳能电池片的背面,正面栅电极分布于太阳能电池片的正面,正面栅电极包括相互平行的主栅线和多根与主栅线相垂直的副栅线,主栅线包括三列,且每列由通过横向间隔隔开的上、下两根主栅线组成,横向间隔的宽度为0.5mm~4mm。
所述背电极包括相互平行的三列,且每列由通过背面横向间隔隔开的上、下两根背电极组成,背面横向间隔的宽度h为8mm~30mm。
进一步,靠近中间一列主栅线旁还设置有一列主栅线,该列主栅线也由通过横向间隔的隔开的上、下两根主栅线组成,且这列主栅线与中间一列主栅线之间有竖向间隔,该竖向间隔7的宽度为0.2mm~2mm。
更进一步,中间一列背电极旁还设置有一列背电极,该列背电极由通过背面横向间隔的隔开的上、下两根背电极组成,且这列背电极与中间一列背电极之间有背面竖向间隔,该背面竖向间隔的宽度为0.2mm~2mm。
采用上述技术方案后,电池片正面上下两部分电极互不相联,可以独立进行电流收集。上下两部分间隔距离控制在0.5mm-4mm,也可以通过组件工艺将上下两部分同时并联使用。避免了供电需求不足时的浪费。
采用进一步的技术方案后,电池片正面上下、左右四部分电极互不相联,可以独立进行电流收集。单个单元可以和相邻的单元,上下或者左右并联使用,也可以通过组件工艺将四部分同时并联使用。使得电池片的使用更加灵活。
附图说明
图1为本发明的实施例一的主视图;
图2为图1的后视图;
图3为本发明的实施例二的主视图;
图4为图3的后视图。
图中标记为:1、主栅线,2、横向间隔,3、副栅线,4、背电极,5、背场6、电池片,7、竖向间隔,8背面竖向间隔。
具体实施方式
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
如图1所示,一种太阳能电池片的上下式电极结构,包括背电极4和正面栅电极,背电极4分布于太阳能电池片的背面,正面栅电极分布于太阳能电池片的正面,正面栅电极包括相互平行的主栅线1和多根与主栅线1相垂直的副栅线3,主栅线包括三列,且每列由通过横向间隔2隔开的上、下两根主栅线组成,横向间隔2的宽度为0.5mm~4mm。主栅线1的宽度为0.5mm~2mm。采用这种结构,电池片正面上下两部分电极互不相联,可以独立进行电流收集。上下两部分间隔距离控制在0.5mm-4mm,也可以通过组件工艺将上下两部分同时并联使用。避免了供电需求不足时的浪费。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的