[发明专利]一种硅波导折射率热光调节结构

权利要求书

1.一种硅波导折射率热光调节结构，其特征在于，从下至上依次包括衬底(1)、下包层(2)、波导层(3)、上包层(4)和电极层(5)；

所述的波导层呈脊型，脊型中央区为轻掺杂的本征i区，两侧平板区分别为重掺杂区；所述的上包层两侧设有金属通孔，通过该通孔使波导层的重掺杂区与电极层相连。

2.根据权利要求1所述的硅波导折射率热光调节结构，其特征在于，所述波导层的材料为高折射率材料硅，下包层的材料为二氧化硅，上包层的材料为低折射率材料，电极层的材料为高导电性金属材料。

3.根据权利要求2所述的硅波导折射率热光调节结构，其特征在于，上包层的材料为二氧化硅或氮化硅，电极层的材料为铝、铜或金。

4.根据权利要求1所述的硅波导折射率热光调节结构，其特征在于，所述的波导层呈脊型，脊的宽度、内脊高度和外脊高度满足光单模传输条件，脊型中央区即波导芯区为轻掺杂的本征i区，两侧平板区分别为重掺杂区，形成热光调节结构。

5.根据权利要求3所述的硅波导折射率热光调节结构，其特征在于，所述重掺杂区的掺杂类型是p型或者n型，轻掺杂的本征i区的浓度小于10¹⁷cm^-3，重掺杂区的重掺杂浓度大于10¹⁸cm^-3。

6.根据权利要求1所述的硅波导折射率热光调节结构，其特征在于，所述的电极层是由位于上包层两侧通孔上的导电金属材料构成，电极层与外部电源的正极和负极相连。